[发明专利]半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法

说明书

本发明提供了一种半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，其包括：采用EKC溶液对刻蚀后的半导体晶圆进行第一次清洗，其中，EKC溶液为NMP溶剂和带有碱性的胺的混合溶液；采用NMP溶剂对半导体晶圆进行第二次清洗；采用IPA溶剂对半导体晶圆进行第三次清洗；采用纯水对半导体晶圆进行第四次清洗；对半导体晶圆进行干燥。通过上述方式，本发明能够完全清洗深孔中的聚合物。

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺技术领域，特别是涉及一种半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法。

背景技术

在半导体器件的生产过程中，需要清洗刻蚀出的深孔，而深孔清洗直接关系着半导体器件的最终功能的实现。深孔通常经过干法蚀刻制程形成，刻蚀深度可以达到100um。然而，在干法蚀刻过程中会产生聚合物，如果无法在清洗过程中将聚合物完全清洗干净，就会直接影响后续镀金制程中形成的金属层的导通能力，继而导致器件的接地性能受到影响，会严重影响成品的性能、成品率及可靠性。

但是，由于深孔的深度较大，现有的深孔清洗技术难以完全清洗干净深孔中的聚合物。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，能够完全清洗深孔中的聚合物。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，包括：采用EKC溶液对刻蚀后的半导体晶圆进行第一次清洗，其中，EKC溶液为NMP溶剂和带有碱性的胺的混合溶液；采用NMP溶剂对所述半导体晶圆进行第二次清洗；采用IPA溶剂对所述半导体晶圆进行第三次清洗；采用纯水对所述半导体晶圆进行第四次清洗；对所述半导体晶圆进行干燥。

优选地，所述第一次清洗、第二次清洗、第三次清洗和第四次清洗的方式为浸泡或喷射。

优选地，所述第一次清洗的方式为浸泡时，浸泡时间为30分钟，浸泡温度为90°。

优选地，所述第二次清洗的方式为浸泡时，浸泡时间为30分钟，浸泡温度为90°。

优选地，所述第二次浸泡的浸泡时间为30分钟，浸泡温度为90°。

优选地，所述第三次清洗的方式为浸泡时，浸泡时间为5分钟。

优选地，所述第四次清洗的方式为浸泡时，浸泡时间为5分钟。

优选地，所述干燥的方式为旋转甩干或氮气吹干。

优选地，所述干燥的持续时间为5分钟。

优选地，所述NMP溶剂的浓度为95％以上，所述IPA溶剂的浓度为95％以上。

区别于现有技术的情况，本发明的有益效果是：通过在进行NMP溶剂浸泡之前，进行EKC溶液浸泡，从而能够完全清洗深孔中的聚合物，保证半导体器件的成品性能、成品率及可靠性。

附图说明

图1是本发明实施例半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

参见图1，是本发明实施例半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法的流程示意图。本发明实施例的深孔清洗方法包括以下步骤：

S1：采用EKC溶液对刻蚀后的半导体晶圆进行第一次清洗，其中，EKC溶液为NMP溶剂和带有碱性的胺的混合溶液。