[发明专利]半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法有效
| 申请号： | 201610024141.6 | 申请日： | 2016-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN105551942B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 王超 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 蚀刻 清洗 方法 | ||
1.一种半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，包括：
采用 EKC 溶液对刻蚀后的半导体晶圆进行第一次清洗，其中，EKC溶液为NMP 溶剂和带有碱性的胺的混合溶液；EKC溶液由于含有NMP溶剂并带有碱性，对半导体晶圆的本体有一定的蚀刻作用，通过调整胺的添加比例，在清洗聚合物时起到显著作用同时能够降低蚀刻作用；
采用 NMP 溶剂对所述半导体晶圆进行第二次清洗；通过第二次清洗，将第一次清洗后残余的少量聚合物完全清洗掉；
采用 IPA 溶剂对所述半导体晶圆进行第三次清洗；
采用纯水对所述半导体晶圆进行第四次清洗；
对所述半导体晶圆进行干燥；
其特征在于：
在进行NMP溶剂浸泡之前，进行EKC溶液浸泡，能够完全清洗深孔中的聚合物。
2.根据权利要求1 所述的半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，其特征在于，所述第一次清洗、第二次清洗、第三次清洗和第四次清洗的方式为浸泡或喷射。
3.根据权利要求2 所述的半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，其特征在于，所述第一次清洗的方式为浸泡时，浸泡时间为30 分钟，浸泡温度为90°。
4. 根据权利要求2 所述的半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，其特征在于，所述第二次清洗的方式为浸泡时，浸泡时间为30 分钟，浸泡温度为90°。
5. 根据权利要求2 所述的半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，其特征在于，所述第三次清洗的方式为浸泡时，浸泡时间为5 分钟。
6.根据权利要求2 所述的半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，其特征在于，所述第四次清洗的方式为浸泡时，浸泡时间为5 分钟。
7.根据权利要求1 所述的半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，其特征在于，所述干燥的方式为旋转甩干或氮气吹干。
8. 根据权利要求7 所述的半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，其特征在于，所述干燥的持续时间为5 分钟。
9. 根据权利要求1 所述的半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，其特征在于，所述NMP溶剂的浓度为95%以上，所述IPA 溶剂的浓度为95%以上。
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