[发明专利]TFT基板的制作方法

说明书

本发明提供一种TFT基板的制作方法，首先在基板上制作像素电极、数据线和源/漏极，然后再制作沟道保护层和氧化物半导体层；或者首先在基板上制作一层缓冲层，避免氧化物半导体层跟基板直接接触影响TFT特性，然后在源/漏极制作完成后直接制作氧化物半导体层，省去一层蚀刻阻挡层，从而可避免制作源/漏极的蚀刻制程对氧化物半导体层造成的损伤；并通过在制作公共电极的同时制作覆盖于栅极表面的保护层，以保护栅极不被腐蚀，进而可省去一层绝缘保护层的制作；从而有效简化了制程，提高了TFT基板的信赖性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法。

背景技术

液晶显示装置已被广泛应用于人类的生活和工作中，其中液晶显示装置的液晶面板攸关到液晶显示装置的显示效果，包括视角、明暗程度以及颜色等。

根据液晶分子转向后的排列方式分类，常见的液晶显示器可以分为：窄视角的扭曲向列(Twisted Nematic-LCD，TN-LCD)、超扭曲向列(Super Twisted Nematic-LCD，STN-LCD)、双层超扭曲向列(Double Layer STN-LCD，DSTN-LCD)；宽视角的横向电场切换方式(In-Plane Switching，IPS)、边界电场切换技术(Fringe Field Switching，FFS)和多域垂直配向技术(Multi-Domain Vertical Alignment，MVA)等。其中，目前市场上最主流的液晶显示器采用的模式是TN型，但TN型液晶显示器在视角方面有天然痼疾，即使增加一层广视角补偿膜，仍无法满足广视角的要求。为此，许多公司都研发相关的广视角技术，IPS就是其中颇具优势的一种。

横向电场切换(IPS)技术利用空间厚度、摩擦强度并有效利用横向电场驱动的改变让液晶分子做最大的平面旋转角度来增加视角。换句话说，传统LCD显示器的液晶分子一般都在垂直-平行状态间切换，多域垂直配向技术(MVA)和PVA将其改良成垂直-双向倾斜的切换方式，而横向电场切换(IPS)则将液晶分子改为水平旋转切换作为背光通过方式，即不管在何种状态下液晶分子始终都与屏幕平行，只是在加电/常规状态下分子的旋转方向有所不同。为了配合这种结构，横向电场切换(IPS)对电极进行改良，电极做到了同侧，形成平面电场，从而避免了液晶在竖直方向上的偏转，可以达到较大的视角。横向电场切换(IPS)技术像素电极与公共电极位于同一层条状排列，由于位于电极上方的液晶无法进行面内偏转，导致横向电场切换(IPS)模式面板的有效开口率和透过率较低，为改善横向电场切换(IPS)模式的开口率，出现了边界电场切换(FFS)显示模式。

在IPS或者FFS型液晶显示装置的TFT结构中如果以a-Si:H层作为TFT沟道来使用，在高分辨率，高速驱动面板上会发生驱动不良。这是因为不能确保充足的充电电压。从高分辨率面板来看，随着分辨率的增加，在规定时间内需要驱动的TFT数量增加了，所以1个TFT的动作时间就会减少。高速驱动的面板，60Hz驱动速度时TFT需要在16msec时间内开启，120Hz时为8.3msec，240Hz时在4.2msec时间内TFT要开启。所以TFT充电时间越短，用现有的a-Si:H层的移动度特性是无法对应的。所以TFT的驱动速度需要增加,因此也需要高移动度的TFT。氧化物(Oxide)TFT，与之前的a-Si:H相比，移动度高(>10cm²/Vs)，所以高分辨率高速驱动显示驱动元件可以适用。基于以上原因，氧化物TFT技术被广泛开发，并应用于AMOLED和高规格LCD产品上。氧化物TFT的禁带宽度较大，如非晶金属氧化物半导体IGZO(氧化铟镓锌)的禁带宽度在3.5eV左右，因此对于波长大于300nm的可见光照射下，几乎不受影响，因此也是柔性显示中首选的材料之一。由于金属氧化物半导体通常采用湿法进行刻蚀，而源漏极金属也是采用湿法刻蚀，因此被沟道刻蚀(BCE)结构通常不适用于金属氧化物半导体的生产工艺，目前通常采用刻蚀阻挡(Etch Stopper)型结构来制作氧化物半导体TFT。

发明内容