[发明专利]TFT基板的制作方法

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积第一透明导电层，对所述第一透明导电层进行图案化处理，形成像素电极(2)；

步骤2、在所述基板(1)、像素电极(2)上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，形成源/漏极(3)、数据线(31)，所述数据线(31)具有形成于基板(1)的周边区域的数据线端子(312)；

步骤3、在所述基板(1)、像素电极(2)、源/漏极(3)、数据线(31)上沉积沟道保护层(4)；在所述沟道保护层(4)上对应所述源/漏极(3)上方形成第一过孔(41)；

步骤4、在所述沟道保护层(4)、源/漏极(3)上沉积氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行图案化处理，形成有源层(5)；所述有源层(5)经由所述第一过孔(41)与所述源/漏极(3)相接触；

步骤5、在所述沟道保护层(4)、有源层(5)上沉积栅极绝缘层(6)；

步骤6、在所述栅极绝缘层(6)上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，形成栅极(7)、及栅极扫描线(71)，所述栅极扫描线(71)具有形成于基板(1)的周边区域的扫描线端子(712)；在所述沟道保护层(4)、及栅极绝缘层(6)上对应所述数据线端子(312)上方形成第二过孔(8)；

步骤7、在所述栅极绝缘层(6)、栅极(7)、及栅极扫描线(71)上沉积第二透明导电层，对所述第二透明导电层进行图案化处理，形成公共电极(9)、分别覆盖于栅极(7)与栅极扫描线(71)上方的保护层(91)、以及经由所述第二过孔(8)与所述数据线端子(312)相接触的连接导线(92)。

2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一透明导电层、第二透明导电层的厚度为所述第一金属层、第二金属层的厚度为

3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述沟道保护层(4)的厚度为所述栅极绝缘层(6)的厚度为所述有源层(5)的厚度为

4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一透明导电层、第二透明导电层的材料为ITO或IZO；所述第一金属层、第二金属层的材料为Cr、Mo、Al、或Cu。

5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述沟道保护层(4)的材料为氧化硅；所述栅极绝缘层(6)的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合；所述有源层(5)的材料为ZnO、InZnO、ZnSnO、GaInZnO、或ZrInZnO。

6.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积缓冲层(10)；

步骤2、在所述缓冲层(10)上沉积第一透明导电层，对所述第一透明导电层进行图案化处理，形成像素电极(2)；

步骤3、在所述缓冲层(10)、像素电极(2)上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，形成源/漏极(3)、数据线(31)，所述数据线(31)具有形成于基板(1)的周边区域的数据线端子(312)；

步骤4、在所述缓冲层(10)、像素电极(2)、源/漏极(3)、数据线(31)上沉积氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行图案化处理，形成有源层(5)；所述有源层(5)与所述源/漏极(3)相接触；

步骤5、在所述缓冲层(10)、像素电极(2)、源/漏极(3)、数据线(31)、有源层(5)上沉积栅极绝缘层(6)；

步骤6、在所述栅极绝缘层(6)上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，形成栅极(7)、及栅极扫描线(71)，所述栅极扫描线(71)具有形成于基板(1)的周边区域的扫描线端子(712)；在所述栅极绝缘层(6)上对应所述数据线端子(312)上方形成第三过孔(81)；

步骤7、在所述栅极绝缘层(6)、栅极(7)、及栅极扫描线(71)上沉积第二透明导电层，对所述第二透明导电层进行图案化处理，形成公共电极(9)、分别覆盖于栅极(7)与栅极扫描线(71)上方的保护层(91)、以及经由所述第三过孔(81)与所述数据线端子(312)相接触的连接导线(92)。