[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种薄膜晶体管、一 种显示基板、一种显示装置和一种薄膜晶体管的制作方法。

背景技术

随着薄膜晶体管(TFT)显示技术的飞速发展，显示器件的尺 寸也在迅速的增大，但对于大尺寸显示器件，随着栅线和数据线行 列数的增加，会导致TFT的充电时间过长，甚至充电不完全，出现 灰阶下降等问题，因此需要增大TFT的开态电流。与此同时，如果 TFT的关态漏电流过大，会使TFT的电压保持特性降低，功耗增加， 因此也需要减小关态漏电流，提高薄膜晶体管的开关比，从而进一 步提高薄膜晶体管的性能。

为此，现有技术主要通过双栅甚至多栅结构的TFT来实现上述 效果，但双栅或多栅结构的TFT制备工艺比较复杂，会使成本增加。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，如何提高薄膜晶体管的开态电 流，降低关态漏电流。

为此目的，本发明提出了一种薄膜晶体管，包括：

栅极；

栅绝缘层，设置在所述栅极之上；

第一有源层，设置在所述栅绝缘层之上；

第二有源层，设置在所述第一有源层之上，长度小于所述第一有 源层的长度；

源极，设置在所述第一有源层之上，且与所述第二有源层的第一 侧面相接触；

漏极，设置在所述第一有源层之上，且与所述第二有源层的第二 侧面相接触。

优选地，所述第一有源层的电阻率小于所述第二有源层的电阻 率。

优选地，所述第一有源层和第二有源层的材料为铟镓锌氧化物。

优选地，所述第二有源层中铟的含量小于所述第一有源层中铟的 含量。

优选地，所述第二有源层的垂直平分线与所述第一有源层的垂直 平分线重合。

本发明还提出了一种显示基板，包括上述薄膜晶体管。

本发明还提出了一种显示装置，包括上述显示基板。

本发明还提出了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

在基底上形成栅极；

在所述栅极之上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层之上形成第一有源层；

在所述第一有源层之上形成长度小于所述第一有源层的长度的 第二有源层；

在所述第一有源层之上形成分别与第二有源层的两个侧面相接 触的源极和漏极。

优选地，形成第一有源层和形成第二有源层包括：

在所述栅绝缘层之上形成第一半导体材料层；

在所述第一有源层材料层之上形成第二半导体材料层；

在所述第二半导体材料层之上形成光刻胶；

通过半掩膜对所述光刻胶进行蚀刻，以完全去除第一区域的光刻 胶，部分去除第二区域的光刻胶，保留第三区域的光刻胶；

蚀刻掉所述第一区域的第一半导体材料层和第二半导体材料层， 将剩余的第一半导体材料层作为所述第一有源层；

蚀刻掉所述第二区域的光刻胶；

蚀刻掉所述第二区域的第二半导体材料层，将剩余的第二半导体 材料层作为所述第二有源层。

优选地，形成第一半导体材料层和第二半导体材料层包括：

通过磁控溅射铟镓锌氧化物的靶材以形成第一半导体材料层和第二 半导体材料层。

优选地，形成第一半导体材料层包括：

通过第一功率在所述栅绝缘层之上磁控溅射铟镓锌氧化物的靶 材；

形成第二半导体材料层包括：

通过第二功率在所述第一半导体材料层上磁控溅射铟镓锌氧化物的 靶材，其中，所述第二功率大于所述第一功率。

通过上述技术方案，在有源层导通时，与导电底面相连的两个侧 壁为第一有源层的两个侧壁，而在整个有源层的厚度与现有技术中有 源层的厚度相同时，第一有源层的厚度小于现有技术中有源层的厚 度，也即第一有源层的两个侧壁高度小于现有技术中有源层的两个侧 壁的高度，因此相对于现有技术中有源层两个侧壁的电阻更小，从而 提高了开态电流。

附图说明

通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示 意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：

图1示出了根据本发明一个实施例的薄膜晶体管的结构示意图；

图2示出了现有技术中有源层中的电流方向；