[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

栅极；

栅绝缘层，设置在所述栅极之上；

第一有源层，设置在所述栅绝缘层之上；

第二有源层，设置在所述第一有源层之上，长度小于所述第一有 源层的长度；

源极，设置在所述第一有源层之上，且与所述第二有源层的第一 侧面相接触；

漏极，设置在所述第一有源层之上，且与所述第二有源层的第二 侧面相接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一 有源层的电阻率小于所述第二有源层的电阻率。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一 有源层和第二有源层的材料为铟镓锌氧化物。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二 有源层中铟的含量小于所述第一有源层中铟的含量。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在 于，所述第二有源层的垂直平分线与所述第一有源层的垂直平分线重 合。

6.一种显示基板，其特征在于，包括权利要求1至5中任一项 所述的薄膜晶体管。

7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6所述的显示基 板。

8.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在基底上形成栅极；

在所述栅极之上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层之上形成第一有源层；

在所述第一有源层之上形成长度小于所述第一有源层的长度的 第二有源层；

在所述第一有源层之上形成分别与第二有源层的两个侧面相接 触的源极和漏极。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，形成第一有源层 和形成第二有源层包括：

在所述栅绝缘层之上形成第一半导体材料层；

在所述第一有源层材料层之上形成第二半导体材料层；

在所述第二半导体材料层之上形成光刻胶；

通过半掩膜对所述光刻胶进行蚀刻，以完全去除第一区域的光刻 胶，部分去除第二区域的光刻胶，保留第三区域的光刻胶；

蚀刻掉所述第一区域的第一半导体材料层和第二半导体材料层， 将剩余的第一半导体材料层作为所述第一有源层；

蚀刻掉所述第二区域的光刻胶；

蚀刻掉所述第二区域的第二半导体材料层，将剩余的第二半导体 材料层作为所述第二有源层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，形成第一半导体 材料层和第二半导体材料层包括：

通过磁控溅射铟镓锌氧化物的靶材以形成第一半导体材料层和 第二半导体材料层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，形成第一半导 体材料层包括：

通过第一功率在所述栅绝缘层之上磁控溅射铟镓锌氧化物的靶 材；

形成第二半导体材料层包括：

通过第二功率在所述第一半导体材料层上磁控溅射铟镓锌氧化 物的靶材，其中，所述第二功率大于所述第一功率。