[发明专利]一种氨基修饰水溶性荧光量子点及其制备方法在审
| 申请号： | 201610015712.X | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN105623644A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 曲峰;宗洁;周晓男;尚春庆 | 申请（专利权）人： | 苏州英芮诚生化科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 215500 江苏省苏州市常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氨基 修饰 水溶性 荧光 量子 及其 制备 方法 | ||
1.一种氨基修饰水溶性荧光量子点，其特征在于：所述的荧光量子点包括油溶性量子点内核，油溶性量子点内核上修饰有含有3-氨丙基硅基或N-丙基乙二胺基硅基结构的氨基硅烷基团。
2.根据权利要求1所述的氨基修饰水溶性荧光量子点，其特征在于：所述的油溶性量子点内核为具有多层结构的油溶性量子点，结构为X/R1/R2/…/Rn，其中X为量子点最内层，为二元或三元量子点，R为外层结构，为CdS和/或ZnS任意比例的混合物，n为量子点外层数量，1≤n≤12。
3.根据权利要求2所述的氨基修饰水溶性荧光量子点，其特征在于：所述的二元或三元量子点具体为CdSe、CdTe、CdS、ZnSe、ZnS、InAs或CuInS2。
4.一种氨基修饰水溶性荧光量子点的制备方法，其特征在于所述的方法包括如下步骤：将油溶性量子点、正硅酸四乙酯以及含氨基的硅化烷试剂混合，使正硅酸四乙酯和含氨基的硅烷化试剂在油溶性量子点表面发生共聚反应，获得氨基修饰的水溶性荧光量子点。
5.根据权利要求4所述的氨基修饰水溶性荧光量子点的制备方法，其特征在于：所述的油溶性量子点、正硅酸四乙酯以及含氨基的硅化烷试剂的用量比例为：9~10nmol：0.1~0.3mL：0.1~0.2mL。
6.根据权利要求4所述的氨基修饰水溶性荧光量子点的制备方法，其特征在于：所述的含氨基的硅烷化试剂为：3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、N-丙基乙二胺基三甲氧基硅烷、N-丙基乙二胺基三乙氧基硅烷，其中的一种或多种。
7.根据权利要求4所述的氨基修饰水溶性荧光量子点的制备方法，其特征在于：所述的共聚反应的反应温度为10~90℃。
8.根据权利要求7所述的氨基修饰水溶性荧光量子点的制备方法，其特征在于：所述的共聚反应的反应温度优选为60~70℃。
9.根据权利要求4所述的氨基修饰水溶性荧光量子点的制备方法，其特征在于：所述的共聚反应时间为2~12小时。
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