[发明专利]光寻址电位感测组件

说明书

本发明提供了一种光寻址电位感测组件，包含一导电基板、一金属氧化半导体层以及一感测层，其中该金属氧化半导体层的材料为氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO₂)或氧化锌(ZnO)，通过金属氧化半导体层具有宽能带的特性，使得该光寻址电位感测组件不受可见光的干扰，大幅提升了光寻址电位感测组件的稳定性。

【技术领域】

本发明涉及一种光寻址电位感测组件，尤指一种金属氧化半导体层为氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO₂)或氧化锌(ZnO)；感测层为氧化铌(Nb_xO_y)、二氧化铪(HfO₂)、氮氧化铪(HfON)、氮化硅(Si₃N₄)、氮氧化钛(TiON)、氮化钛(TiN)或氧化钽(Ta₂O₅)的光寻址电位感测组件。

【背景技术】

光寻址电位传感器是一种利用光点扫描来获得二维影像的浓度变化的传感器，其主结构是以电解液绝缘层半导体(Electrolyte Insulator Semiconductor,EIS)构成，具有反应时间短及在多离子感测上应用的许多好处，因此常用在生化检测。

利用光寻址电位感测的方式，可用来作为多离子感测和化学影像分析，尤其被运用在化学反应、生化反应等检测上甚是为多；通过光寻址电位的方式，技术人员可通过直觉的图像、光学的方式，得知在反应实时进行时的各种离子浓度变化，进而得知反应发生的进程。

然而，对于光线很敏感的光寻址电位感测组件，其电解液绝缘层半导体(Electrolyte Insulator Semiconductor,EIS)结构很容易受到环境光的影响，导致所量测出来的影像结果不准确，因此必须在暗房中进行检测。

如技术人员有时在未注意暗房是否完善的隔绝外界环境光情况下，容易受到可见光的干扰，进而影响其稳定性以及准确度。

【发明内容】

为解决现有技术所提及的问题，本发明提供了一种光寻址电位感测组件，包含一导电基板、一金属氧化半导体层以及一感测层，其中该导电基板形成于该基板上，该金属氧化半导体层形成于该导电基板上，其材料为氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO₂)或氧化锌(ZnO)，而该感测层形成于该金属氧化半导体层上。

【附图说明】

图1是本发明光寻址电位感测组件的结构示意图。

图2是本发明与一般ITO/玻璃的特定波长光线穿透率示意图。

图3是本发明光寻址电位感测组件在不同频率下的C-V曲线图。

图4是本发明NbO_x/IGZO与一般Si₃N₄/SiO₂/P-type Si材质的光电压感测比图。

图5是运用本发明的光寻址电位传感器结构示意图。

【具体实施方式】

为能了解本发明的技术特征及实用功效，并可依照说明书的内容来实施，兹进一步以如图式所示的较佳实施例，详细说明如后：

本实施例图式所示的组件厚度、比例是为方便说明而夸饰后的结果，本发明实际组件的比例、厚度当不以此为限。