[发明专利]光寻址电位感测组件

权利要求书

1.一种光寻址电位感测组件，其特征在于，包含:

一导电基板，为沉积于玻璃上的氧化铟锡(ITO)；

一金属氧化半导体层，形成于该导电基板上，该金属氧化半导体层材料为一氧化铟镓锌(IGZO)，该氧化铟镓锌(IGZO)原子比例为In:Ga:Zn:O＝1:1:1:4的99.9％纯原子；以及

一感测层，形成于该金属氧化半导体层上；

其中，该感测层为氧化铌(NbOx)；

该金属氧化半导体层的厚度为350纳米；

该感测层的厚度为45纳米。

2.一种光寻址电位传感器，包含如权利要求1所述的光寻址电位感测组件，其特征在于，该光寻址电位感测组件与一作用电极连接；

一感测区域，以一封装材料围绕而成，设置于该感测层上；

一参考电极，设置于该感测区域中；

一发光模块，用以提供光源照射于该光寻址电位感测组件的下表面，包含一发光组件、一聚焦组件及一反射组件，该聚焦组件设置于该发光组件与该反射组件之间；以及

一处理模块，该处理模块分别与该发光组件、该反射组件、该作用电极以及该参考电极连接。

3.如权利要求2所述的光寻址电位传感器，其特征在于，该发光组件为发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)、雷射二极管(LD)或激发光组件(EL)。

4.如权利要求2所述的光寻址电位传感器，其特征在于，该封装材料为环氧树脂、硅氧烷树脂、聚二甲基硅氧烷或聚碳酸酯。

5.如权利要求2所述的光寻址电位传感器，其特征在于，该处理模块为现场可编辑逻辑门阵列平台(FPGA platform)，包含一控制器，与该反射组件连接；以及一函数产生器，与该发光组件连接。

6.如权利要求2所述的光寻址电位传感器，其特征在于，该感测区域用以检测一受测溶液的一离子或一生物物质的浓度。

7.如权利要求6所述的光寻址电位传感器，其特征在于，该生物物质为蛋白质、脂质、糖、抗原、抗体、核糖核酸(RNA)或脱氧核糖 核酸(DNA)。

8.如权利要求6所述的光寻址电位传感器，其特征在于，该离子为H⁺ 、OH^- 、K⁺ 、Na⁺ 、Ca²⁺ 或Cl^- 。