[发明专利]一种基于量子阱结构的量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明适用于显示技术领域，提供了一种基于量子阱结构的量子点发光二极管及其制备方法。所述一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的底电极、量子点发光层和顶电极，所述量子点发光层中的量子点为(Ax1/B/Ax2)n量子阱结构的量子点，其中，所述Ax1、B、Ax2分别表示三种半导体材料层，所述n为≥1的自然数。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种基于量子阱结构的量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点发光材料具有色纯度极佳、发光颜色可调、发光效率高等优点，此外，与有机材料相比，无机材料具有更好的水氧耐受性，因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)受到了广泛的关注。

近年来，QLED的技术发展非常迅速，其中，红绿器件在效率和寿命方面都与OLED较为接近，但是蓝色器件的性能却存在很大的差距。主要原因在于：一是蓝色量子点的尺寸过小，合成控制难度比较大；二是蓝色量子点中俄歇复合几率比较大，导致发光效率降低，尤其是高注入情况下，其发光效率更低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于量子阱结构的量子点发光二极管，旨在解决现有量子点发光二极管、特别是蓝光量子点发光二极管俄歇复合几率大、发光效率低的问题。

本发明的另一目的在于提供一种基于量子阱结构的量子点发光二极管的制备方法。

本发明是这样实现的，一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的底电极、量子点发光层和顶电极，所述量子点发光层中的量子点为(Ax1/B/Ax2)_n量子阱结构的量子点，其中，所述Ax1、B、Ax2分别表示三种半导体材料层，所述n为≥1的自然数。

以及，一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

提供一底电极；

将量子阱结构的量子点溶解形成量子点溶液，将所述量子点溶液沉积在所述底电极上，形成量子点发光层；

在所述量子点发光层上沉积顶电极。

本发明提供的基于量子阱结构的量子点发光二极管，二维结构的阱状量子点可以有效地抑制俄歇复合几率，尤其是高注入条件下无辐射复合可以得到有效减少，由此，一方面可以提高发光器件中激子的辐射复合效率，从而提高量子点发光器件的性能；另一方面，由于无辐射复合减少，发光器件在工作下的热效应减弱，从而可以显著改善量子点发光器件的稳定性。此外，本发明提供的量子点发光二极管，能够通过调节量子阱结构的内层核的尺寸来精确调控发光峰位，从而可以在相对大尺寸的量子点结构中获得高效率的蓝光，更适合低成本大规模的彩色器件制备。

本发明提供的量子点发光二极管的制备方法，将量子阱结构的量子点溶解形成量子点溶液后进行沉积，方法简单可控，且各层结构均可采用本领域成熟工艺进行沉积，易于实现产业化。

附图说明

图1是本发明实施例提供的量子点发光二极管的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的设置有空穴注入层、空穴传输层、电子传输层的量子点发光二极管的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的量子阱结构的量子点结构截面示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。