[发明专利]一种基于量子阱结构的量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的底电极、量子点发光层和顶电极，其特征在于，所述量子点发光层中的量子点为(Ax1/B/Ax2)_n量子阱结构的量子点，其中，所述Ax1、B、Ax2分别表示三种半导体材料层，所述n为≥1的自然数，且所述Ax1和/或所述Ax2为多层壳层结构。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述Ax1、Ax2的带隙宽度大于所述B的带隙宽度，且所述Ax1、Ax2的导带高于所述B的导带，所述Ax1、Ax2的价带低于所述B的价带。

3.如权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述Ax1、B、Ax2各自单独为Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族、Ⅰ-Ⅱ-Ⅵ族半导体材料中的一种。

4.如权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述Ax1、Ax2各自单独为ZnS、ZnSe、CdS、InP、GaP、CuInS、CuGaS半导体材料中的一种；和/或

所述B为CdSe、CdTe、CdS、ZnSe、ZnTe、InP、GaP、CuInS、CuGaS半导体材料中的一种。

5.如权利要求1-4任一所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述多层壳层结构具有渐变式能级结构，所述渐变式能级结构为：相对于所述B的宽带，所述Ax1、所述Ax2的宽带各自由内到外逐渐增大。

6.如权利要求1-4任一所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述n的取值范围为：1≤n≤20。

7.如权利要求1-4任一所述的量子点发光二极管，其特征在于，还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层中的至少一层。

8.一种如权利要求1-7任一项所述量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

提供一底电极；

将量子阱结构的量子点溶解形成量子点溶液，将所述量子点溶液沉积在所述底电极上，形成量子点发光层；

在所述量子点发光层上沉积顶电极。

9.如权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在制备所述量子点发光层之前，还包括在所述底电极上沉积空穴注入层、空穴传输层中的至少一层；和/或

在沉积所述顶电极之前，还包括在所述量子点发光层上沉积电子传输层、电子注入层中的至少一层。