[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

一栅极；

一绝缘层，覆盖该栅极；

一第一半导体图案，配置于该绝缘层上，该第一半导体图案具有一通道区、一第一源极区以及一第一漏极区，该第一源极区与该第一漏极区分别位于该通道区的相对两侧；

一第二半导体图案，配置于该第一半导体图案上，该第二半导体图案具有分别与该通道区、该第一源极区、该第一漏极区重叠的一抑制区、一第二源极区以及一第二漏极区；

一蚀刻阻挡图案，配置于该第二半导体图案上；

一源极以及一漏极，覆盖部分的该蚀刻阻挡图案，该源极与该第一半导体图案的该第一源极区以及该第二半导体图案的该第二源极区电连接，该漏极与该第一半导体图案的该第一漏极区以及该第二半导体图案的该第二漏极区电连接，其中该通道区的阻值为R1，该抑制区的阻值为R2，该第二源极区的阻值以及该第二漏极区的阻值为R3，该第一源极区的阻值以及该第一漏极区的阻值为R4，而且R2>R1>R3>R4。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第一半导体图案的该通道区与该第二半导体图案的该抑制区切齐，该第一半导体图案的该第一源极区与该第二半导体图案的该第二源极区切齐，而该第一半导体图案的该第一漏极区与该第二半导体图案的该第二漏极区切齐。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该蚀刻阻挡图案暴露出该第一半导体图案的外缘以及该第二半导体图案的外缘，且该源极与该漏极覆盖该第一半导体图案的外缘以及该第二半导体图案的外缘。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该蚀刻阻挡图案具有分别暴露出该第二源极区与该第二漏极区的多个贯孔，该源极以及该漏极填入所述贯孔而分别与该第二半导体图案的该第二源极区以及该第二漏极区电连接。

5.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在一基板上形成一栅极；

在该基板上形成一绝缘层，以覆盖该栅极；

在该绝缘层上依序形成一第一半导体层以及一第二半导体层，其中该第二半导体层的阻值大于该第一半导体层的阻值；

图案化一第一半导体层以及一第二半导体层，以形成一第一半导体图案以及一第二半导体图案，其中该第一半导体图案具有一通道区以及分别位于该通道区相对两侧的一第一源极预定区与一第一漏极预定区，该第二半导体图案具有分别与该通道区、该第一源极预定区、该第一漏极预定区重叠的一抑制区、一第二源极预定区与一第二漏极预定区；

于该第二半导体图案上形成一蚀刻阻挡图案，该蚀刻阻挡图案与该第二半导体图案的该抑制区以及该第一半导体图案的该通道区重叠且暴露出该第二半导体图案的该第二源极预定区以及该第二漏极预定区；

以该蚀刻阻挡图案为掩膜，对该第一半导体图案的该第一源极预定区及该第一漏极预定区和该第二半导体图案的该第二源极预定区及该第二漏极预定区进行一局部改质处理程序，以降低该第一源极预定区、该第一漏极预定区、该第二源极预定区以及该第二漏极预定区的阻值，而使该第一源极预定区、该第一漏极预定区、该第二源极预定区以及该第二漏极预定区分别转变为第一源极区、第一漏极区、第二源极区以及第二漏极区，其中该通道区的阻值为R1，该抑制区的阻值为R2，该第二源极区的阻值以及该第二漏极区的阻值为R3，该第一源极区的阻值以及该第一漏极区的阻值为R4，而且R2>R1>R3>R4；以及

形成一源极与一漏极，其中该源极与该第一半导体图案的该第一源极区以及该第二半导体图案的该第二源极区电连接，而该漏极与该第一半导体图案的该第一漏极区以及该第二半导体图案的该第二漏极区电连接。