[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示装置

说明书

本发明涉及一种阵列基板、其制作方法及显示装置，以解决现有技术中阵列基板的制造方法中，采用ITO作电极层时，电极层和平坦层的图形需要两次构图工艺才能完成的问题。本发明的阵列基板包括：衬底基板，第一电极层，平坦层；其中第一电极层为由多条导电纳米线搭接成的薄膜；第一电极层和平坦层的图案相同。由于第一电极层是导电纳米线搭接成的薄膜，且平坦层和第一电极层有相同图案，因而可以采用曝光显影的方式对平坦层进行刻蚀，显影液可以通过导电纳米线间的缝隙渗透到平坦层，在清洗平坦层的同时，一起洗掉位于已经刻蚀掉的平坦层上方的导电纳米线，进而通过一次构图工艺同时形成平坦层和电极层的图形，减少了一次构图工艺。

技术领域

本发明涉及显示面板领域，尤其涉及一种阵列基板、其制作方法及显示装置。

背景技术

阵列基板是组成液晶显示装置的重要组件，现有的用于ADS(Advanced SuperDimension Switch，高级超维场开关)显示面板的阵列基板，在制作过程中需要依次经过最少6次构图工艺才能完成阵列基板的制作。而采用ITO(Indium-Tin Oxide，氧化铟锡)作为电极层时，电极层和平坦层的图形需要两次构图工艺才能完成。

综上所述，目前现有的阵列基板的制造方法中，采用ITO作为电极层时，电极层和平坦层的图形需要两次构图工艺才能完成。

发明内容

本发明实施例提供的一种阵列基板、其制作方法及显示装置，用以解决现有技术中存在的阵列基板的制造方法中，采用ITO作为电极层时，电极层和平坦层的图形需要两次构图工艺才能完成的问题。

本发明实施例提供的一种阵列基板，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的各像素单元所在区域内的第一电极层，设置在所述第一电极层下方且与所述第一电极层直接接触的平坦层；

其中，所述第一电极层为由多条导电纳米线搭接成的薄膜；所述第一电极层和所述平坦层的图案相同。

由于本发明中第一电极层是由多条导电纳米线搭接而成的薄膜，且平坦层和第一电极层有相同的图案，因而可以采用曝光显影的方式对平坦层进行刻蚀，在曝光刻蚀之后进行显影时，显影液可以通过导电纳米线之间的缝隙渗透到平坦层，在清洗平坦层的同时，可以一起冲洗掉位于已经刻蚀掉的平坦层上方的导电纳米线；进而通过一次构图工艺同时形成平坦层和电极层的图形，这样不仅可以减少一次构图工艺，还可以节约成本，提高产能。

可选的，所述纳米线的材料为纳米金属。

可选的，所述纳米金属为纳米银。

可选的，所述纳米线的粗度不大于1μm。

可选的，所述纳米线的长度为根据所述第一电极层和所述平坦层的图案选取的数值。

可选的，所述纳米线的长度为3μm-20μm。

可选的，所述第一电极层的透过率大于80％。

可选的，所述第一电极层的电阻值不大于200欧姆/方块。

可选的，还包括：设置在所述第一电极层上方且具有狭缝形状的第二电极层。

可选的，所述第一电极层为公共电极层，所述第二电极层为像素电极层；或，

所述第一电极层为像素电极层，所述第二电极层为公共电极层。

本发明实施例提供的一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述所述的阵列基板。

本发明实施例提供的一种如本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成一整层的平坦层和一整层的第一电极层；

使用掩膜版通过一次构图工艺形成所述平坦层和所述第一电极层的图案；