[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的各像素单元所在区域内的第一电极层，设置在所述第一电极层下方且与所述第一电极层直接接触的平坦层；

其中，所述第一电极层为由多条导电纳米线搭接成的薄膜；所述第一电极层和所述平坦层的图案相同。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述纳米线的材料为纳米金属。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述纳米金属为纳米银。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述纳米线的粗度不大于1μm。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述纳米线的长度为根据所述第一电极层和所述平坦层的图案选取的数值。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述纳米线的长度为3μm-20μm。

7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层的透过率大于80％。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层的电阻值不大于200欧姆/方块。

9.如权利要求1-8任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：设置在所述第一电极层上方且具有狭缝形状的第二电极层。

10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层为公共电极层，所述第二电极层为像素电极层；或，

所述第一电极层为像素电极层，所述第二电极层为公共电极层。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的阵列基板。

12.一种如权利要求1-10任一项所述阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成一整层的平坦层和一整层的第一电极层；

使用掩膜版通过一次构图工艺形成所述平坦层和所述第一电极层的图案；

其中，所述第一电极层为由多条导电纳米线搭接成的薄膜；所述第一电极层和所述平坦层的图案相同。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成一整层的平坦层和一整层的第一电极层，包括：

在衬底基板上沉积一整层的平坦层；

在所述平坦层上涂覆一整层包含导电纳米线的可挥发溶液，以使所述可挥发溶液在挥发之后，能够形成一整层的第一电极层；

其中，所述可挥发溶液发生挥发的温度小于使所述阵列基板发生熔化的最低温度值。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成一整层的平坦层和一整层的第一电极层，包括：

在衬底基板上转印一整层的包含平坦层和由导电纳米线搭接成的第一电极层的复合薄膜，形成位于衬底基板上的一整层的平坦层和一整层的第一电极层。

15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，使用掩膜版通过一次构图工艺形成所述平坦层和所述第一电极层的图案，包括：

使用掩膜版对所述平坦层进行曝光刻蚀；

在曝光完成后，使用显影液对所述平坦层上刻蚀掉的部分进行清洗，并清洗掉位于所述平坦层上刻蚀掉的部分上方的导电纳米线，形成所述平坦层和所述第一电极层的图案。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述显影液为弱碱性溶液。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述弱碱性溶液为Na₂CO₃溶液。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述Na₂CO₃溶液的浓度为0.1％-1％。