[发明专利]一种制备三维石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201610008722.0 | 申请日： | 2016-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN105668555B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 于贵;王华平;耿德超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 三维 石墨 方法 | ||
1.一种制备三维石墨烯的方法，包括如下步骤：
在氢气和氩气气氛中，通入碳源气体于衬底上进行化学气相沉积，沉积完毕后于所述衬底上得到所述三维石墨烯；
所述碳源气体、氢气和氩气的流量比为7.0：50：50至14.0：50：50；
所述化学气相沉积步骤中，温度为1000-1250℃。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述衬底为单晶硅、二氧化硅/硅、石英片或二氧化锆/硅；
所述单晶硅的厚度为250-500微米；
所述二氧化硅/硅中，二氧化硅层的厚度为250-400纳米；硅层的厚度为250-500微米；
所述石英片的厚度为1-3毫米；
所述二氧化锆/硅中，二氧化锆层的厚度为10-50纳米；硅层的厚度为250-500微米。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述碳源气体为甲烷、乙烯或乙烷；
所述碳源的流量为7.0-14.0sccm；
所述氢气的流量为50sccm；
所述氩气的流量为50sccm。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述化学气相沉积步骤中，时间为2-8小时；
压强为0-1.01×105Pa，但不为0。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述方法还包括如下步骤：
在所述化学气相沉积步骤之前，将所述衬底进行退火。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述退火步骤中，退火的气氛为氢气和氩气气氛；
氢气的流量为10-100sccm；
氩气的流量为10-100sccm；
退火的时间为10-60分钟。
7.权利要求1-6中任一所述方法制备得到的三维石墨烯。
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