[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板

说明书

一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板，该制作方法包括：在衬底基板上形成栅金属层和栅极绝缘层的图形；形成半导体层的图形，半导体层的图形包括有源层区域和像素电极区域的图形，半导体层包括重叠设置的绝缘性氧化物层和半导体性氧化物层，绝缘性氧化物层位于栅极绝缘层和半导体性氧化物层之间；形成源漏金属层的图形；对像素电极区域的半导体性氧化物层进行等离子体处理，使得像素电极区域的半导体性氧化物层转化为导体。由于半导体性氧化物层与栅极绝缘层之间设置绝缘性氧化物层，绝缘性氧化物层与半导体性氧化物层晶格结构匹配度好，可改善界面缺陷。同时，通过一次构图工艺同时形成有源层和像素电极，可降低阵列基板的成产成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板。

背景技术

现有的阵列基板中的薄膜晶体管(TFT)可以采用氧化物半导体制作有源层，氧化物半导体具有迁移率高、可制作大尺寸产品等特点。然而，氧化物半导体也存在一些缺点，例如特性不稳定，常常发生阈值电压(Vth)漂移等不良，从而限制了其大范围的使用。氧化物半导体特性不稳定的一个原因在于：其晶格结构与薄膜晶体管中的栅极绝缘层不匹配，导致两者的接触界面存在大量缺陷，缺陷捕获电荷后就会导致上述不良。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板，用以解决现有的阵列基板中的氧化物半导体层与栅极绝缘层的接触界面不匹配的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板上依次形成栅金属层和栅极绝缘层的图形；

形成半导体层的图形，所述半导体层的图形包括有源层区域和像素电极区域的图形，所述半导体层包括重叠设置的第一氧化物层和第二氧化物层，所述第一氧化物层为绝缘性氧化物层，所述第二氧化物层为半导体性氧化物层，所述第一氧化物层位于所述栅极绝缘层和所述第二氧化物层之间；

形成源漏金属层的图形；

对所述像素电极区域的第二氧化物层进行等离子体处理，使得所述像素电极区域的第二氧化物层转化为导体。

优选地，所述形成半导体层的图形的步骤包括：

采用溅射工艺形成第一氧化物薄膜，溅射工艺采用的溅射气体包括氧气和氩气，且氧气的比例为第一比例，使得所述第一氧化物薄膜为绝缘性氧化物薄膜；

采用溅射工艺形成第二氧化物薄膜，溅射工艺采用的溅射气体包括氧气和氩气，且氧气的比例为第二比例，使得所述第二氧化物薄膜为半导体性氧化物薄膜；

采用构图工艺对所述第一氧化物薄膜和第二氧化物薄膜进行构图，形成半导体层的图形，所述半导体层包括由所述第一氧化物薄膜形成的第一氧化物层以及由所述第二氧化物薄膜形成的第二氧化物层。

优选地，所述第一比例的取值范围为60％～90％，所述第二比例的取值范围为30％～55％。

优选地，所述栅金属层的图形包括栅极的图形，所述源漏金属层的图形包括源极和漏极的图形，所述漏极的图形在所述衬底基板上的正投影区域完全落入所述栅极的图形在所述衬底基板上的正投影区域内。

优选地，所述形成源漏金属层的图形的步骤之后还包括：

形成保护层的图形，所述保护层为绝缘性氧化物层，所述保护层的图形完全覆盖源极和漏极之间的间隙区域对应的第二氧化物层；

形成钝化层的图形，所述保护层位于所述钝化层和所述第二氧化物层之间。

优选地，所述源漏金属层的图形包括源极和漏极的图形以及像素电极区域的图形，所述保护层的图形还覆盖源极和漏极的图形，所述形成保护层的图形步骤之后，对所述像素电极区域的第二氧化物层进行等离子体处理的步骤之前还包括：