[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上依次形成栅金属层和栅极绝缘层的图形；

形成半导体层的图形，所述半导体层的图形包括有源层区域和像素电极区域的图形，所述半导体层包括重叠设置的第一氧化物层和第二氧化物层，所述第一氧化物层为绝缘性氧化物层，所述第二氧化物层为半导体性氧化物层，所述第一氧化物层位于所述栅极绝缘层和所述第二氧化物层之间；

形成源漏金属层的图形；

对所述像素电极区域的第二氧化物层进行等离子体处理，使得所述像素电极区域的第二氧化物层转化为导体；

所述形成源漏金属层的图形的步骤之后还包括：

形成保护层的图形，所述保护层为绝缘性氧化物层，所述保护层的图形完全覆盖源极和漏极之间的间隙区域对应的第二氧化物层；

形成钝化层的图形，所述保护层位于所述钝化层和所述第二氧化物层之间。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成半导体层的图形的步骤包括：

采用溅射工艺形成第一氧化物薄膜，溅射工艺采用的溅射气体包括氧气和氩气，且氧气的比例为第一比例，使得所述第一氧化物薄膜为绝缘性氧化物薄膜；

采用溅射工艺形成第二氧化物薄膜，溅射工艺采用的溅射气体包括氧气和氩气，且氧气的比例为第二比例，使得所述第二氧化物薄膜为半导体性氧化物薄膜；

采用构图工艺对所述第一氧化物薄膜和第二氧化物薄膜进行构图，形成半导体层的图形，所述半导体层包括由所述第一氧化物薄膜形成的第一氧化物层以及由所述第二氧化物薄膜形成的第二氧化物层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一比例的取值范围为60％～90％，所述第二比例的取值范围为30％～55％。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述栅金属层的图形包括栅极的图形，所述源漏金属层的图形包括源极和漏极的图形，所述漏极的图形在所述衬底基板上的正投影区域完全落入所述栅极的图形在所述衬底基板上的正投影区域内。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述源漏金属层的图形包括源极和漏极的图形以及像素电极区域的图形，所述保护层的图形还覆盖源极和漏极的图形，所述形成保护层的图形步骤之后，对所述像素电极区域的第二氧化物层进行等离子体处理的步骤之前还包括：

以所述保护层为掩膜，对所述源漏金属层进行刻蚀，去除像素电极区域的源漏金属层图形。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，形成所述保护层的图形之后，保留所述保护层的图形上的光刻胶；

其中，对所述像素电极区域的第二氧化物层进行等离子体处理的步骤具体为：

采用所述光刻胶作为掩膜，对所述像素电极区域的第二氧化物层进行等离子体处理，使得所述像素电极区域的半导体性氧化物转化为导体，其中，采用还原性气体执行等离子处理；

剥离所述光刻胶。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述栅金属层的图形包括公共电极线的图形；所述形成钝化层的图形之后还包括：

形成公共电极层的图形，所述公共电极层通过贯穿所述钝化层和栅极绝缘层的过孔与所述公共电极线连接。

8.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述绝缘性氧化物层为富氧氧化物层。

9.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的方法制作而成。