[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201610005961.0 | 申请日: | 2016-01-04 |
公开(公告)号: | CN105448935B | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 江鹏;周茂秀;杨海鹏;戴珂;尹傛俊;王章涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 阵列基板 绝缘层 导电结构 栅线 大尺寸显示 信号延迟 正常显示 电连接 膜层 条栅 制作 平行 屏幕 应用 | ||
1.一种阵列基板,包括多条相互平行的栅线,其特征在于,所述阵列基板还包括位于所述多条栅线所在膜层上的绝缘层,以及位于所述绝缘层上的至少一个第一导电结构,所述绝缘层上设置有对应于所述第一导电结构的至少两个第一过孔,所述第一导电结构通过所述第一过孔与所述栅线电连接;
所述阵列基板还包括位于所述第一导电结构所在膜层上的钝化层,以及位于所述钝化层上的至少一个第二导电结构,所述钝化层上设置有对应于所述第二导电结构的至少两个第四过孔,所述第二导电结构通过第四过孔与所述第一导电结构电连接;
在至少一条所述栅线的延伸方向上,多个所述第一导电结构依次设置,所述第二导电结构位于任意相邻的两个所述第一导电结构之间,所述第二导电结构通过两个所述第四过孔分别和与该第二导电结构相邻的两个所述第一导电结构电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电结构在所述阵列基板上的投影与所述栅线在所述阵列基板上的投影至少部分交叠,所述第一过孔位于所述交叠区域内。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括源极和漏极,所述源极和漏极均与所述第一导电结构同层设置,且均与所述第一导电结构不接触。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括位于所述绝缘层和所述源极和漏极所在膜层之间的有源层和刻蚀阻挡层,所述刻蚀阻挡层上设置有对应于所述源极的第二过孔和对应于所述漏极的第三过孔,所述源极和所述漏极分别通过所述第二过孔和所述第三过孔与所述有源层电连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在每条所述栅线的延伸方向上,多个所述第一导电结构依次间隔设置,所述第二导电结构位于任意相邻的两个第一导电结构之间,所述第二导电结构通过所述第四过孔分别和与该第二导电结构相邻的两个第一导电结构电连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括多条相互平行的数据线,所述栅线和所述数据线围成多个像素单元,所述第一导电结构设置在所述像素单元内,且所述第一导电结构与所述像素单元一一对应,所述第二导电结构设置在任意相邻的两个所述像素单元之间。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二导电结构在所述阵列基板上的投影与所述栅线在所述阵列基板上的投影至少部分交叠,所述第四过孔位于所述交叠区域内。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括与所述栅线同层设置的栅极,所述第二导电结构在所述阵列基板上的投影与所述栅极在所述阵列基板上的投影至少部分交叠。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置在所述钝化层上的像素电极,所述第二导电结构与所述像素电极同层同材料设置。
10.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅线的宽度范围为2μm-10μm。
11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的