[发明专利]一种OLED器件的封装结构、显示装置和封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光显示技术领域，尤其涉及有源矩阵发光二极管技术领域。更具体地，本发明涉及一种OLED器件的封装结构、一种显示装置以及一种OLED器件的封装方法。

背景技术

相比于其它类型的显示器件(例如，液晶显示单元)，OLED显示器件因其轻薄、低功耗、高对比度、高色域等优点，作为下一代显示器被广泛研究并得到初步应用。相比于液晶显示器件，OLED显示器件的另一个优势是，其不需要背光照明。

然而，OLED显示器件的一个缺点为其对空气和湿度的敏感性。OLED 发光层的多数有机物质对于大气中的污染物、O₂以及水汽都十分敏感，会直接造成有机发光材料发生变质，发光效率降低、发光异常或无法发光等问题，同时会引起金属电极的氧化和腐蚀，因此封装技术直接影响到OLED 显示器件的稳定性和寿命。

有源矩阵发光二极管(也被称为active-matrix organic light emitting diode，AMOLED)比无源矩阵有机发光二极管(也被称为positive-matrix organic light emitting diode，PMOLED)的能量效率更高。有源矩阵发光二极管具有良好的市场前景，然而其封装技术也是AMOLED显示产品化的关键技术，目前很多显示面板厂商都在开发薄膜封装(thin film encapsulation，TFE)技术。TFE结构上一般为两层或者以上的多层薄膜堆叠结构，按照作用来分为无机阻水层、有机平坦化层两类。图1(a)和图1(b) 为常见的三层、五层薄膜堆叠的TFE结构。

发明内容

本发明的实施例提供一种OLED器件的封装结构、显示装置和封装方法，能够解决现有封装技术中的薄膜均匀性差、对制造设备要求较高的问题。

本发明的一个目的在于提供一种OLED器件的封装结构。

本发明的第一方面提供了一种OLED器件的封装结构，包括：基板，在所述基板上的OLED器件，在所述OLED器件上的第一层，其中，所述OLED器件的封装结构还包括位于第一层外侧用于界定所述第一层的第一阻挡层，并且其中，所述第一阻挡层在其拐角位置具有冗余部。

在一种实施方式中，所述第一阻挡层的冗余部的最大半长度在 0.03-0.3mm之间。

可选地，所述第一阻挡层的冗余部的最大半长度在0.05-0.15mm之间。

在一种实施方式中，所述第一层在其对应于所述OLED器件拐角的位置处具有第一斜坡形状，且在其对应于所述OLED器件边缘的位置处具有第二斜坡形状，并且其中，所述第一斜坡形状的宽度大于所述第二斜坡形状的宽度，且宽度的差值范围在0.03-0.3mm之间。

可选地，所述第一斜坡形状的宽度和所述第二斜坡形状的宽度的差值范围在0.05-0.15mm之间。

在一种实施方式中，所述封装结构还包括，设置在所述OLED器件和所述第一层之间的第一阻水层，以及设置在所述第一层上的第二阻水层。

可选地，所述第一层、所述第一阻水层、所述第二阻水层中的至少一个，在其拐角位置具有冗余部。

可选地，所述第一阻挡层的冗余部、所述第一层的冗余部、所述第一阻水层的冗余部、所述第二阻水层的冗余部中的至少一个的形状包括弧形、半圆形、方形。

可选地，所述封装结构还包括彼此交替设置的至少一个第二层和至少一个第三阻水层，以及还包括位于所述第二层外侧用于界定所述第二层的至少一个第二阻挡层。

可选地，所述基板为柔性基板；所述OLED器件为AMOLED器件；所述第一和第二阻水层为无机阻水层；所述第一层为有机平坦层。

本发明的另一个目的在于提供一种显示装置。

本发明的第二方面提供了一种显示装置，所述显示装置设置有前述的 OLED器件的封装结构。

本发明的又一个目的在于提供一种OLED器件的封装方法。

本发明的第三方面提供了一种OLED器件的封装方法，包括：提供基板；在所述基板上设置OLED器件；在所述OLED器件上通过喷墨工艺形成第一层；其中，所述方法还包括，在所述第一层外侧形成用于界定所述第一层的第一阻挡层，以及，在所述第一阻挡层的拐角位置设置冗余部。

在一种实施方式中，所述封装方法还包括，将所述第一阻挡层的冗余部的最大半长度设置在0.03-0.3mm之间。

可选地，所述封装方法还包括，将所述第一阻挡层的冗余部的最大半长度设置在0.05-0.15mm之间。