[发明专利]一种OLED器件的封装结构、显示装置和封装方法有效
申请号: | 201610003711.3 | 申请日: | 2016-01-04 |
公开(公告)号: | CN105449118B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 黄维 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 李峥,杨晓光 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 封装 结构 显示装置 方法 | ||
1.一种OLED器件的封装结构,包括:基板,在所述基板上的OLED器件,在所述OLED器件上的第一层,其特征在于,
所述OLED器件的封装结构还包括位于第一层外侧用于界定所述第一层的第一阻挡层,其中,所述第一阻挡层在其拐角位置具有冗余部;
所述第一层在其对应于所述OLED器件拐角的位置处具有第一斜坡形状,且在其对应于所述OLED器件边缘的位置处具有第二斜坡形状,并且其中,
所述第一斜坡形状的宽度大于所述第二斜坡形状的宽度。
2.根据权利要求1所述的OLED器件的封装结构,其中,所述第一阻挡层的冗余部的最大半长度在0.03-0.3mm之间。
3.根据权利要求2所述的OLED器件的封装结构,其中,所述第一阻挡层的冗余部的最大半长度在0.05-0.15mm之间。
4.根据权利要求1所述的OLED器件的封装结构,其中,所述第一斜坡形状的宽度和所述第二斜坡形状的宽度的差值范围在0.03-0.3mm之间。
5.根据权利要求4所述的OLED器件的封装结构,其中,所述第一斜坡形状的宽度和所述第二斜坡形状的宽度的差值范围在0.05-0.15mm之间。
6.根据权利要求1所述的OLED器件的封装结构,还包括,设置在所述OLED器件和所述第一层之间的第一阻水层,以及
设置在所述第一层上的第二阻水层。
7.根据权利要求6所述的OLED器件的封装结构,其中,所述第一层、所述第一阻水层、所述第二阻水层中的至少一个,在其拐角位置具有冗余部。
8.根据权利要求7所述的OLED器件的封装结构,其中,所述第一阻挡层的冗余部、所述第一层的冗余部、所述第一阻水层的冗余部、所述第二阻水层的冗余部中的至少一个的形状包括弧形、半圆形、方形。
9.根据权利要求6所述的OLED器件的封装结构,还包括彼此交替设置的至少一个第二层和至少一个第三阻水层,以及还包括位于所述第二层外侧用于界定所述第二层的至少一个第二阻挡层。
10.根据权利要求6到9中任一项所述的OLED器件的封装结构,其中,
所述基板为柔性基板;
所述OLED器件为AMOLED器件;
所述第一和第二阻水层为无机阻水层;
所述第一层为有机平坦层。
11.一种显示装置,其特征在于,设置有根据权利要求1到10中任意一项所述的OLED器件的封装结构。
12.一种OLED器件的封装方法,包括:
提供基板;
在所述基板上设置OLED器件;
在所述OLED器件上通过喷墨工艺形成第一层;
其特征在于,所述方法还包括,在所述第一层外侧形成用于界定所述第一层的第一阻挡层,以及,在所述第一阻挡层的拐角位置设置冗余部;
将所述第一层在其对应于所述OLED器件拐角的位置处设置为具有第一斜坡形状,在其对应于所述OLED器件边缘的位置处设置为具有第二斜坡形状,并且,
将所述第一斜坡形状的宽度设置为大于所述第二斜坡形状的宽度。
13.根据权利要求12所述的OLED器件的封装方法,还包括,将所述第一阻挡层的冗余部的最大半长度设置在0.03-0.3mm之间。
14.根据权利要求13所述的OLED器件的封装方法,还包括,将所述第一阻挡层的冗余部的最大半长度设置在0.05-0.15mm之间。
15.根据权利要求12所述的OLED器件的封装方法,其中,所述第一斜坡形状的宽度与所述第二斜坡形状的宽度的差值设置在0.03-0.3mm之间的范围。
16.根据权利要求15所述的OLED器件的封装方法,还包括,将所述第一斜坡形状的宽度和所述第二斜坡形状的宽度的差值设置在0.05-0.15mm之间的范围。
17.根据权利要求12所述的OLED器件的封装方法,还包括,形成在所述OLED器件和所述第一层之间的第一阻水层;
在所述第一层上形成第二阻水层。
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