[发明专利]两页合装密集型母线槽壳体结构和拼接工艺有效

专利信息
申请号: 201610001499.7 申请日: 2016-01-05
公开(公告)号: CN105945515B 公开(公告)日: 2018-04-24
发明(设计)人: 胡波;于常海;陈辉;罗龙辉;张剑 申请(专利权)人: 深圳市深龙达电器有限公司
主分类号: B23P15/00 分类号: B23P15/00
代理公司: 深圳市深弘广联知识产权代理事务所(普通合伙)44449 代理人: 向用秀
地址: 518000 广东省深圳市坪*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 两页合装 密集型 母线槽 壳体 结构 拼接 工艺
【权利要求书】:

1.一种两页合装密集型母线槽壳体拼接工艺,其特征在于,包括以下步骤:

S1:下料,采用6系铝镁合金制成母线槽壳体,同时采用高精度锯床进行下料,下料时采用夹具进行定位固定,保证下料切口处保持平整,角度误差范围为α±0.2°;

S2:铣削,壳体处铣削去除尖角位置的散热片形成铣削槽;采用高速钢刀具铣削,乳化液进行冷却,水平弯内壳体的第一外壳和第二外壳铣削去除尖角位置的散热片形成铣削槽,铣削槽宽度为从尖角位置起沿外壳长度方向60mm,垂直弯壳体或水平弯外壳体的第一外壳和第二外壳在壁厚位置进行铣削,铣削深度为1/2壁厚,铣削槽宽度单边为5-8mm;

S3:去毛刺,除去母线槽壳体以及铣削槽上的毛刺;

S4:焊接,将两个不同的壳体拼接在一起,并在拼接后的铣削槽位置进行焊接,采用夹具将两个不同的壳体进行定位固定,两个壳体的铣削槽拼接成一个大铣削槽,在该大铣削槽处,采用直径为3mm的6系铝镁合金焊丝进行焊接,外壳焊接完成后保持固定状态,待外壳温度自然冷却至室温即可松开夹具,避免外壳因热胀冷缩带来一定的误差,保证焊接角度有足够的精度:β±0.2°;

S5:打磨,用打磨机对母线槽壳体以及焊接位置进行打磨抛光,修磨后表面应平整、光滑、无凹坑、裂痕、气泡等不良现象。

2.根据权利要求1所述的两页合装密集型母线槽壳体拼接工艺,其特征在于,所述焊接方式为非透焊的氩弧焊接方式;焊接电流为交流120A-150A,焊接环境温度≥18℃,湿度≤60%,氩气纯度不低于99.99%,氩气气压5~8MPa,氩气流量8~10L/min。

3.一种两页合装密集型母线槽壳体结构,其特征在于,包括第一外壳和第二外壳,所述第一外壳与第二外壳上都设有外延边和U形槽,且外延边设置在第一外壳和第二外壳的两长边上,所述U形槽设置夹持在第一外壳和第二外壳的两外延边中间,所述外延边和U形槽上都设有铣削槽,且正好位于第一外壳与第二外壳的结合处,所述第一外壳与第二外壳的焊接点为铣削槽处。

4.根据权利要求3所述的两页合装密集型母线槽壳体结构,其特征在于,所述第一外壳与第二外壳都设有散热片,且设置在U形槽的背面,所述铣削槽位置去除了周围的散热片或者去除外壳壁厚的1/2壁厚。

5.根据权利要求3所述的两页合装密集型母线槽壳体结构,其特征在于,所述铣削槽焊接处经过打磨处理。

6.根据权利要求3所述的两页合装密集型母线槽壳体结构,其特征在于,所述第一外壳与第二外壳焊接组合成水平弯壳体或者垂直弯壳体。

7.根据权利要求6所述的两页合装密集型母线槽壳体结构,其特征在于,所述水平弯壳体由内壳体与外壳体两层结构组成,所述内壳体与外壳体结构相同,都由第一外壳与第二外壳焊接而成。

8.根据权利要求7所述的两页合装密集型母线槽壳体结构,其特征在于,所述内壳体的第一外壳与第二外壳铣削槽处焊接转角固定件,以避免内壳体尖端对母线槽内部结构造成损坏。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市深龙达电器有限公司,未经深圳市深龙达电器有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610001499.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top