[发明专利]一种MOCVD系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体外延生长、化学气相沉积系统，特别是一种可清扫碎屑的MOCVD。

背景技术

金属有机物化学气相沉积（MOCVD）是在气相外延生长（VPE）的基础上发展起来的一种化学气相沉积工艺，用于生长外延晶片。它是以III族、II族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长的反应气体，以热分解反应方式在蓝宝石衬底或其他衬底上进行外延沉积工艺，生长各种III-V族、II-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的外延材料层。

如图1所示，现有的MOCVD系统包括，反应腔（即第一腔室）、排气孔和外壳，现有产业化的MOCVD都有旋转功能，在高速旋转外延片离旋转中心距离越远，所受的离心力越大，很容易使外延片飞离反应腔，跌落到气孔的位置而堵塞。尤其在生长4寸或者更大尺寸的衬底时，碎片尺寸更大，堵塞会更加严重。这种堵塞会引起流场的不均匀，而需要打开反应腔室清理碎片。从而带来工艺的不稳定以及产能的降低。

发明内容

为了解决上述不足，包括第一腔室和外壳，第一腔室包含环形衬板和排气孔，排气孔位于环形衬板内，系统用于生长外延晶片。

根据本发明，优选的，所述环形衬板由复数块子衬板和移动件组成，所述子衬板分别通过移动件移动，所述子衬板通过移动实现晶片碎片的清除功能。

根据本发明，优选的，所述子衬板一端具有弧形结构，相邻两子衬板具有弧形结构的一端连接组成孔状结构，所述孔状结构与所述排气孔的进气口对应。

根据本发明，优选的，所述排气孔与排气管相连，所述排气管管壁上分布有复数个孔洞。

根据本发明，优选的，所述环形衬板下方设有第二腔室，用于承载从子衬板清理下来的晶片碎片。

根据本发明，优选的，所述第二腔室具有排屑孔。

根据本发明，优选的，所述第二腔室底部具有波浪状起伏，排屑孔位于波浪状的波谷，便于晶片的碎片排出。

根据本发明，优选的，所述排屑孔数目与移动件数目相同。

根据本发明，优选的，所述排屑孔位于对应移动件的正下方。

根据本发明，优选的，所述移动件固定在外壳上，通过电路受外部控制。

根据本发明，优选的，所述移动件优选为旋转件。

本发明的一种MOCVD系统，与传统的MOCVD机台相比，至少包括以下技术效果：通过子衬板可绕旋转件做旋转，通过子衬板的旋转形成倾倒角度、改变孔状结构的面积，而将碎片从环形衬板上倾倒在第二腔室内，从而实现不需打开第一腔室，而能解决碎片堵塞排气孔的问题，提高工艺稳定性、减少维护时间。除了上述有益效果，本发明的其他有益效果将在说明书具体实施方式中体现。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。

图1：现有技术的MOCVD系统示意图；

图2：实施例1的MOCVD系统示意图；

图3：实施例2的MOCVD系统示意图；

图4：实施例2的MOCVD系统的透视图；

图5：实施例3的MOCVD系统示意图；

图6：实施例3的MOCVD系统的透视图；

图7：实施例4的MOCVD系统示意图；

图8：实施例4的MOCVD系统的透视图。

图中标注：11、第一腔室，12、第二腔室，121、排屑孔，122、第二腔室底部，21、排气孔，22、排气管，221、孔洞，3、外壳，41、第一子衬板，42、第二子衬板，431、旋转件，432、伸缩件。

具体实施方式

下面结合示意图对本发明进行详细的描述，在进一步介绍本发明之前，应当理解，由于可以对特定的实施例进行改造，因此，本发明并不限于下述的特定实施例。还应当理解，由于本发明的范围只由所附权利要求限定，因此所采用的实施例只是介绍性的，而不是限制性的。除非另有说明，否则这里所用的所有技术和科学用语与本领域的普通技术人员所普遍理解的意义相同。

实施例1