[发明专利]受限且可伸缩的防护帽

权利要求书

1.一种防护帽系统，其包括：

第一栅极和第一接触，二者都在第一鳍上；

第二栅极和第二接触，二者都在第二鳍上；以及

在第一和第二接触之间的层间电介质（ILD）部分；

其中（a）第一和第二栅极沿着基本上与第一和第二鳍的长轴正交的第一轴对准，（b）第一和第二接触和ILD部分沿着基本上平行于第一轴的第二轴对准；以及（c）该ILD部分包括凹进部，其包括包含氧化物和氮化物中的至少一种的盖层；

其中所述盖层与所述ILD部分不是成整体的；

其中所述第一鳍的所述长轴限定所述第一鳍的长度，所述第一鳍的短轴限定所述第一鳍的宽度，所述短轴短于所述长轴，并且所述第一鳍的高度与所述第一鳍的所述长轴和所述短轴正交。

2.根据权利要求1所述的系统，其中该凹进部包括直接接触所述氧化物盖层的附加盖层。

3.根据权利要求1所述的系统，其中该盖层包括抛物线状的底表面。

4.根据权利要求1所述的系统，其中：

第一和第二鳍在衬底上；以及

与所述衬底的表面平行的平面与所述盖层和所述第一栅极相交；

所述衬底的所述表面在所述衬底和所述第一栅极之间。

5.一种制造防护帽的方法，其包括：

在半导体鳍上形成第一、第二和第三替换栅极柱；

在第一和第二柱之间形成第一层间电介质（ILD）以及在第二和第三柱之间形成第二ILD；

使第一ILD的第一部分凹进以在第一和第二柱之间形成第一凹进部，以及使第二ILD的第二部分凹进以在第二和第三柱之间形成第二凹进部；

在第一凹进部内形成第一氧化物以及在第二凹进部内形成第二氧化物，第一和第二氧化物彼此直接接触；

在第一和第二氧化物在第一和第二凹进部内的同时使第一和第二氧化物平面化，经平面化的第一和第二氧化物彼此不直接接触；

在经平面化的第一和第二氧化物在第一和第二凹进部内的同时移除第一、第二、或第三替换栅极柱中的至少一个的一部分，以形成空隙；以及

在空隙内形成栅极。

6.根据权利要求5所述的方法，包括：

移除经平面化的第一氧化物的至少一部分和第一ILD的至少一部分以形成附加空隙；以及

在附加空隙内形成用于晶体管节点的接触；

其中该晶体管节点包括源极和漏极中的一个。

7.根据权利要求5所述的方法，包括：

在第一和第二凹进部内形成加盖层；以及

使加盖层平面化并且在第一和第二凹进部内形成加盖层的经平面化的第一和第二部分，加盖层的经平面化的第一和第二部分彼此不直接接触。

8.根据权利要求7所述的方法，包括移除加盖层的经平面化的第一部分的至少一部分以形成附加空隙。

9.根据权利要求7所述的方法，其中该加盖层包括氧化物和氮化物中的至少一种。

10.一种防护帽系统，其包括：

第一栅极柱、第一源极接触柱和第一漏极接触柱，它们所有都在第一半导体鳍上；

第二栅极柱、第二源极接触柱和第二漏极接触柱，它们所有都在第二半导体鳍上；以及

与第一和第二源极接触柱共线并且在第一和第二源极接触柱之间的第一层间电介质（ILD）部分，以及与第一和第二漏极接触柱共线并且在第一和第二漏极接触柱之间的第二ILD部分；

其中（a）第一栅极柱与第二栅极柱共线，第一源极接触柱与第二源极接触柱共线，并且第一漏极接触柱与第二漏极接触柱共线；（b）第一ILD部分包括第一凹进部并且第二ILD部分包括第二凹进部；以及（c）第一凹进部包括第一氧化物盖层并且第二凹进部包括第二氧化物盖层。

11.根据权利要求10所述的系统，其中该第一氧化物盖层不直接接触第二氧化物盖层。