[发明专利]用于在材料沉积工艺中承载基板的载体和用于承载基板的方法

权利要求书

1.一种用于要在真空处理设施(300)中处理的一个或多个基板的载体(100；320)，包括：

基板支撑部分(110)，用于支撑一个或多个待处理基板，所述基板支撑部分(110)包括至少一个拐角(111)；和

框架(120)，基本上围绕所述基板支撑部分(110)提供并且包括外缘(121；122；123；124)；

其中所述框架(120)包括狭缝(130；330)，所述狭缝(130；330)从所述基板支撑部分(110)的所述至少一个拐角(111)延伸到所述框架(120)的所述外缘(121；122；123；124)，并且其中所述狭缝(130；330)相对于所述框架(120)的所述外缘(121；122；123；124)而倾斜。

2.如权利要求1所述的载体，其中所述狭缝(130；330)将所述框架(120)划分为至少两个框架部分(126、127、128、129)，每个框架部分具有外缘(121；122；123；124)，并且其中所述狭缝(130；330)倾斜于所述框架部分的所述外缘(121；122；123；124)中的每一个。

3.如前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述狭缝(130；330)延伸通过所述载体(100；320)的所述框架(120)的整个厚度。

4.如前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述载体(100；320)是整体的载体。

5.如前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述基板支撑部分(110)具有基本上矩形的形状并且所述框架(120)具有基本上矩形的外部形状，其中所述狭缝(130；330)从所述基板支撑部分(110)的相应拐角(111)斜对地延伸到所述框架的外缘(121；122；123；124)。

6.如前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述框架(120)包括四个狭缝(130)，所述四个狭缝(130)将所述框架(120)划分为四个框架部分。

7.如前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述狭缝(130；330)具有在90mm与150mm之间的长度和在5mm与30mm之间的宽度。

8.如前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述载体(100；320)的所述基板支撑部分(110)的厚度小于所述载体的所述框架(120)的厚度并且/或者其中所述框架(120)具有与所述基板支撑部分(110)不同的在温度变化下的膨胀行为。

9.如前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述载体(100；320)适于保持两个或更多个子载体(160)以用于承载基板。

10.如前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述载体(100；160)的所述基板支撑部分(110)包括至少一个开口，具体地是在基板被耦接到所述载体时所述基板被放置的位置处的开口。

11.如前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述载体(100；320)适于具有160℃以上的温度的工艺。