[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

第1导电型的半导体层；

第1导电型的第1杂质层，其在所述半导体层的背面局部地扩散而位于所述背面，且杂质浓度比所述半导体层的杂质浓度高；以及

第2导电型的多个第2杂质层，它们在所述半导体层的表面局部地扩散，

所述半导体层的所述背面直至所述半导体装置的最下部的半导体表面为止是连续的，

所述第1杂质层在俯视观察时，在所述第2杂质层彼此之间形成于不与所述第2杂质层重叠的位置，

在所述半导体层的表面处的所述第2杂质层彼此之间仅存在所述半导体层，

在俯视观察时与所述第2杂质层重叠的所述半导体层的整个区域呈第1导电型，并且浓度比所述第1杂质层低。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第2杂质层包含：

单元杂质层，其在单元区域局部地扩散；以及

多个终端杂质层，它们在所述半导体层的表面以相互分离的方式扩散，且在终端区域处以俯视观察时分别将所述单元杂质层包围的方式形成，该终端区域在俯视观察时将所述单元区域包围。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第1杂质层仅在所述单元区域的所述半导体层的背面局部地扩散。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

还具有：第2导电型的第3杂质层，其在所述终端区域的所述半导体层的背面局部地扩散。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第3杂质层在所述单元区域的所述半导体层的背面也局部地扩散。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第3杂质层在俯视观察时，在所述第2杂质层彼此之间形成于不与所述第2杂质层重叠的位置。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

还具有：第1导电型的第4杂质层，其在所述半导体层的背面扩散，

所述第4杂质层的杂质浓度比所述第1杂质层的杂质浓度低，

所述第1杂质层在所述第4杂质层之上局部地扩散，

所述第3杂质层在所述第4杂质层之上局部地扩散。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第1杂质层与所述第3杂质层以俯视观察时相互分离的方式形成。

9.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

具有多个所述第1杂质层，

所述第3杂质层以俯视观察时被所述第1杂质层夹持的方式形成。

10.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述半导体层的背面处的所述第1杂质层的形成深度比所述半导体层的背面处的所述第3杂质层的形成深度深。

11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述第1杂质层与所述第2杂质层之间的俯视观察时的距离即层间距离，小于或等于所述半导体层的厚度。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

具有多个所述第1杂质层和多个所述第2杂质层，

多个所述层间距离包含与其他所述层间距离不同的所述层间距离。

13.一种半导体装置，

其具有：

第1导电型的半导体层；

第1导电型的第1杂质层，其在所述半导体层的背面局部地扩散而位于所述背面，且杂质浓度比所述半导体层的杂质浓度高；以及

第2导电型的多个第2杂质层，它们在所述半导体层的表面局部地扩散，

所述半导体层的所述背面直至所述半导体装置的最下部的半导体表面为止是连续的，

所述第1杂质层在俯视观察时，在所述第2杂质层彼此之间形成于不与所述第2杂质层重叠的位置，

在所述半导体层的表面处的所述第2杂质层彼此之间仅存在所述半导体层，

所述第1杂质层仅在单元区域的所述半导体层的背面局部地扩散，

该半导体装置还具有：

第2导电型的第3杂质层，其在所述半导体层的背面扩散；以及

第1导电型的第4杂质层，其在所述半导体层的背面扩散，

所述第4杂质层的杂质浓度比所述第1杂质层的杂质浓度低，

所述第1杂质层在所述第4杂质层之上局部地扩散，

所述第3杂质层在所述第4杂质层之上局部地扩散，

在俯视观察时与所述第2杂质层重叠的所述半导体层的整个区域的浓度比所述第1杂质层低。