[发明专利]薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法

说明书

本发明提供通过调整多晶硅的结晶性从而适当地对特性进行了调整的薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法。TFT的沟道层中所含的硅层14包含非晶部141、第1多晶部142和结晶性更低的第2多晶部143。通过经过掩模2将激光照射于硅层14，该掩模2包含将激光(能量束)遮蔽的遮蔽部21、使激光透过的第1透过部22和激光的透过率更低的第2遮蔽部22，从而形成第1多晶部142和第2多晶部143。通过存在第2多晶部143，与多晶的部分的结晶性为一种的TFT相比，更为适当地调整迁移率等TFT的特性。另外，通过调整掩模2的构成，从而能够简便地调整TFT的特性。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法。

背景技术

在液晶显示器面板中，作为驱动用于显示像素的像素电极的有源元件，多使用了薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)。在TFT中有将非晶硅用于半导体的TFT和将多晶硅用于半导体的TFT。多晶硅与非晶硅相比，迁移率大。因此，使用了多晶硅的TFT可以高速动作。相反，使用了非晶硅的TFT由于迁移率更小，因此能够使非动作时的漏电流减小。

专利文献1中公开了利用了非晶硅和多晶硅这两者的特性的TFT。该TFT中，在绝缘性的基板上形成栅电极，形成覆盖基板和栅电极的绝缘层，在绝缘层上形成多晶硅层，在多晶硅层上形成非晶硅层，在非晶硅层上形成了源电极和漏电极。多晶硅层通过暂时形成非晶硅层，对非晶硅层照射激光，使非晶硅变化为多晶硅而形成。多晶硅层和非晶硅层作为沟道层发挥功能。迁移率等TFT的特性成为沟道层为多晶硅层时与沟道层为非晶硅层时的中间的特性。

另外，开发了如下技术：不是使非晶硅层的全体变化为多晶硅，而是部分地对非晶硅层照射激光，使非晶硅层的一部分变化为多晶硅。通过使非晶硅层的一部分变化为多晶硅，与使非晶硅层的全体变化为多晶硅时相比，能够使漏电流减小。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-114131号公报

发明内容

发明要解决的课题

对于使非晶硅层的全体变化为多晶硅的TFT而言，迁移率大，另一方面，漏电流大。相反，对于使非晶硅层的一部分变化为多晶硅的TFT而言，虽然减小漏电流，但迁移率降低，动作变为低速。

本发明鉴于该实际情况而完成，其目的在于提供通过调整多晶硅的结晶性从而适当地调整了特性的薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法。

用于解决课题的手段

本发明涉及的薄膜晶体管是具有基板、在该基板的表面形成的栅电极、在该栅电极的上侧形成的硅层和一部分在该硅层的上侧形成的源电极和漏电极的薄膜晶体管，其特征在于，上述硅层具有由非晶硅构成的非晶部、包含多晶硅的第1多晶部和包含多晶硅、结晶性比上述第1多晶部低的第2多晶部。

本发明涉及的薄膜晶体管，其特征在于，上述第1多晶部设置于下述的相隔离的二处：包含将上述源电极投影于上述硅层的位置的一部分的位置和包含将上述漏电极投影于上述硅层的位置的一部分的位置，上述第2多晶部设置于将二处的上述第1多晶部连接的位置。

本发明涉及的薄膜晶体管，其特征在于，在将上述源电极和上述漏电极投影于上述硅层的位置中包含上述硅层的端部的一部分，在该一部分中设置有上述非晶部。