[发明专利]薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其具有基板、在该基板的表面形成的栅电极、在该栅电极的上侧形成的硅层和一部分在该硅层的上侧形成的源电极和漏电极，其特征在于，

所述硅层包含由非晶硅形成的非晶部、包含多晶硅的第1多晶部和包含多晶硅并且结晶性比所述第1多晶部低的第2多晶部，

所述第1多晶部设置于以下的相隔离的二处：包含将所述源电极投影于所述硅层的位置的一部分的位置和包含将所述漏电极投影于所述硅层的位置的一部分的位置，

所述第2多晶部设置于将二处的所述第1多晶部连接的位置，并且

在将所述源电极和所述漏电极投影于所述硅层的位置内，所述第1多晶部中不含的部分包含在所述非晶部中。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在将所述源电极和所述漏电极投影于所述硅层的位置中包含所述硅层的端部的一部分，在该一部分中设置有所述非晶部。

3.一种薄膜晶体管的制造方法，其制造具有基板、在该基板的表面形成的栅电极、在该栅电极的上侧形成的硅层和一部分在该硅层的上侧形成的源电极和漏电极的薄膜晶体管，其特征在于，包含：

形成由非晶硅构成的硅层的工序，

对形成的硅层中的一部分照射能量束而生成含有多晶硅的第1多晶部，向所述硅层中的另一部分照射强度比所述能量束低的能量束而生成包含多晶硅、结晶性比所述第1多晶部低的第2多晶部的结晶化工序，和

对所述硅层进行蚀刻以使所述第1多晶部、所述第2多晶部和没有照射能量束的非晶部残留的工序，

其中，所述第1多晶部设置于以下的相隔离的二处：包含将所述源电极投影于所述硅层的位置的一部分的位置和包含将所述漏电极投影于所述硅层的位置的一部分的位置，

所述第2多晶部设置于将二处的所述第1多晶部连接的位置，并且

在将所述源电极和所述漏电极投影于所述硅层的位置内，所述第1多晶部中不含的部分包含在所述非晶部中。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述结晶化工序是通过掩模将能量束照射于所述硅层，所述掩模包含：遮蔽所述能量束的遮蔽部、使所述能量束透过的第1透过部和以比该第1透过部低的透过率使所述能量束透过的第2透过部。