[发明专利]电子装置

说明书

技术领域

本发明涉及包括载体和半导体芯片的电子装置。本发明还涉及用于产生电子装置的方法。

背景技术

电子装置可以以包括载体和布置在载体上的一个或数个半导体芯片的所谓的板上芯片模块（COB）的形式来实现。以这种方式配置的用于生成光辐射的光电装置可以包括辐射发射半导体芯片，诸如LED芯片（发光二极管）。

常见的COB装置包括焊接衬垫，导线可以借助于焊接而连接到所述焊接衬垫以用于电气接触。另一种途径在于使用具有机械接触结构的二级外壳。然而该途径伴随着较高的成本。

就具有焊接衬垫的COB装置而言，也可能出现缺点。这是因为可能以使得在电子装置的操作期间生成的热量可以被高效地移除这样的方式来设计载体。使用这样的载体因此具有如下效应：在COB焊接工艺期间还出现热量的移除。因此，难以在焊接衬垫的区域中提供和维持用于焊接的适当温度，因此使得难以控制焊接工艺和可获得的焊接质量。

由于这个原因，焊接工艺通常不以自动化方式进行，而是替代地以手动方式进行，其中具有良好技术的操作员对于实施焊接是优选的。不过，焊接质量可能是差的使得可能出现关于焊接接缝可靠性的问题。例如可能的是，焊接接缝包括空隙和/或是不牢固的。

为了克服这些问题，常规途径在于针对COB焊接工艺应用热板使得可以提供和维持适当的焊接温度。然而该途径是耗时的。

发明内容

本发明的目标是提供一种改进的电子装置，导线可以借助于焊接而连接到所述改进的电子装置而没有以上标识的问题。本发明的另一目标是提供一种用于产生这样的电子装置的方法。

通过独立权利要求的特征实现这些目标。在从属权利要求中公开进一步优选的实施例。

根据本发明的一个方面，提供一种包括载体和半导体芯片的电子装置。载体包括第一介电层和第二介电层。第一介电层的热导率超过第二介电层的热导率。第二介电层布置在第一介电层上并且部分地覆盖第一介电层。半导体芯片布置在载体上在其中第一介电层不被第二介电层覆盖的安装区域中。载体包括用于电气接触的焊接端子。焊接端子布置在第二介电层上。

电子装置可以是所谓的板上芯片模块（COB）。电子装置包括具有第一和第二介电层的载体。两个介电层包括不同的热导率。该配置使得可能提供在电子装置的操作期间的有效的热量移除，也促进并且增强被实施以便接触电子装置的焊接工艺。

在该背景下，半导体芯片布置在载体上在其中具有较高热导率的第一介电层不被第二介电层覆盖的安装区域中。因此，在半导体芯片的操作期间产生的热量可以经由第一介电层从半导体芯片高效地传导掉。

为了电气接触的目的，载体包括焊接端子，导线可以借助于焊接而连接到所述焊接端子。焊接端子布置在具有较低的热导率的第二介电层上。这使得可能在焊接端子的该区域中可靠地提供并维持适当的焊接温度，因为热量的移除在该区域中可以被抑制或者，具体地，被减小。因此，可以在高工艺质量的情况下实施焊接工艺，并且可以形成可靠且坚固的焊接接缝。这具有如下效应：可以改进产量以及还有当操作电子装置时的效率。高焊接质量使得此外可能以自动化的以及因此成本高效的方式进行焊接工艺。而且，可以避免应用热板。

在下文中，描述电子装置的另外的可能实施例。

第一介电层可以包括具有10 W/mK的最小值的热导率。第一介电层的热导率可以例如在从10 W/mK到20 W/mK的范围内。第二介电层可以包括具有5 W/mK的最大值的热导率。第二介电层的热导率可以例如在2 W/mK以下或者在1 W/mK以下。以这种方式，电子装置可以可靠地以在所述电子装置的操作期间的有效的热量移除为特色，也实现具有高质量的焊接。

还可能应用具有不同于以上提到的数值数据的热导率的介电层或者，具体地，用于所述介电层的介电材料。作为示例，第一介电层可以包括3.0 W/mK的热导率。在这个方面，第二介电层可以包括例如1.3 W/mK的热导率。

两个介电层中的每个可以包括相应的介电材料或者，具体地，由相应的介电材料制成。一个示例是诸如基于树脂的复合材料之类的复合材料。

在电子装置的另一实施例中，第二介电层包括开口，借助于所述开口来提供安装区域。该实施例允许电子装置的对称配置，其中开口以及因此安装区域可以在中心地定位在载体上。

在电子装置的另一实施例中，载体包括布置在第一介电层上在安装区域中的安装衬垫，并且半导体芯片布置在安装衬垫上。以这种方式，半导体芯片可以可靠地附接到载体，并且当操作半导体芯片时产生的热量可以经由安装衬垫从半导体芯片高效地转移到第一介电层。