[发明专利]电子装置在审
申请号: | 201580082233.3 | 申请日: | 2015-08-06 |
公开(公告)号: | CN107924890A | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | K.E.吴;W.C.赵;C.K.林;M.卡利德 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 王岳,刘春元 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置(100),包括载体(105)和半导体芯片(140),
其中载体(105)包括第一介电层(110)和第二介电层(120),
其中第一介电层(110)的热导率超过第二介电层(120)的热导率,
其中第二介电层(120)布置在第一介电层(110)上并且部分地覆盖第一介电层(110),
其中半导体芯片(140)布置在载体(105)上在其中第一介电层(110)不被第二介电层(120)覆盖的安装区域(107)中,
并且其中载体(105)包括布置在第二介电层(120)上的用于电气接触的焊接端子(126)。
2.根据权利要求1所述的电子装置,
其中第二介电层(120)包括开口(121),借助于所述开口(121)来提供安装区域(107)。
3.根据前述权利要求中的任一项所述的电子装置,
其中载体(105)包括布置在第一介电层(110)上在安装区域(107)中的安装衬垫(116),并且其中半导体芯片(140)布置在安装衬垫(116)上。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的电子装置,
其中载体(105)包括金属基底层(112),在所述金属基底层(112)上布置第一介电层(110)。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的电子装置,
其中载体(105)包括布置在第二介电层(120)上的接触层(125)以及部分地覆盖接触层(125)的覆盖层(130),并且其中由接触层(125)的不被覆盖层(130)覆盖的区提供焊接端子(126)。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的电子装置,
其中载体(105)包括布置在第二介电层(120)上用于电气接触的另一焊接端子(126)。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的电子装置,
其中半导体芯片(140)是光电半导体芯片。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的电子装置,
其中电子装置包括布置在载体(105)上在安装区域(107)中的数个半导体芯片(140)。
9.一种用于产生根据前述权利要求中的任一项的电子装置(100)的方法,包括:
提供第一介电层(110);
提供第二介电层(120),其中第一介电层(110)的热导率超过第二介电层(120)的热导率;
将第二介电层(120)布置在第一介电层(110)上使得产生载体(105),其中载体(105)包括其中第一介电层(110)不被第二介电层(120)覆盖的安装区域(107);
提供布置在第二介电层(120)上的焊接端子(126);以及
将半导体芯片(140)布置在载体(105)上在安装区域(107)中。
10.根据权利要求9所述的方法,
进一步包括在第二介电层(120)中形成开口(121),借助于所述开口(121)来提供载体(105)的安装区域(107)。
11.根据权利要求9或10中的任一项所述的方法,
其中第一介电层(110)设有布置在第一介电层(110)上的金属层(114),其中将金属层(114)结构化使得提供布置在第一介电层(110)上的安装衬垫(116),并且其中将半导体芯片(140)布置在安装衬垫(116)上。
12.根据权利要求9至11中的任一项所述的方法,
其中第一介电层(110)设有金属基底层(112),在所述金属基底层(112)上布置第一介电层(110)。
13.根据权利要求9至12中的任一项所述的方法,
其中第二介电层(120)设有布置在第二介电层(120)上的金属层(124),其中将金属层(124)结构化使得提供布置在第二介电层(120)上的接触层(125),并且其中形成覆盖层(130),其部分地覆盖接触层(125)使得由接触层(125)的不被覆盖层(130)覆盖的区提供焊接端子(126)。
14.根据权利要求9至13中的任一项所述的方法,
其中提供布置在第二介电层(120)上的另一焊接端子(126)。
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