[发明专利]太阳能电池的制造方法以及太阳能电池

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池的制造方法以及太阳能电池，特别涉及光电变换效率的提高。

背景技术

以往，在太阳能电池中，如专利文献1所示的一个例子，作为向作为光入射面的受光面或者作为与受光面相反的面的背面的杂质扩散方法，公开了在使用CVD法等形成扩散源的膜之后，在氮环境中加热基板和作为扩散源的膜，使杂质扩散到基板内的方法。

专利文献1：日本特开2004－247364号公报

发明内容

然而，在上述专利文献1所示的太阳能电池的制造方法中，当在基板上形成磷硅酸盐玻璃(PSG：Phosphorus Silicate Glass)膜或者硼硅酸盐玻璃(BSG：Boron Silicate Glass)膜之后，在氮环境下进行之中进行用于杂质扩散的热处理。因此，还同时发生从在形成膜时磷或者硼等杂质蔓延并附着到基板背面的生成物向背面的杂质扩散，所以，存在发生不期望的杂质向背面的混入这样的问题。杂质的混入导致太阳能电池的载流子寿命降低。

本发明是鉴于上述而完成的，其目的在于，在形成固相扩散源的膜后，接着在进行基于热处理的杂质扩散时，抑制杂质混入到背面，得到载流子寿命长的太阳能电池。

本发明为了解决上述课题而达到目的，提供一种太阳能电池的制造方法，包括：在具有第1主面以及第2主面的第1导电类型的半导体基板的第1主面形成固相扩散源的膜的工序；以及热处理工序，加热半导体基板，使第2导电类型的杂质从固相扩散源扩散而形成第2导电类型的扩散层，其中，在热处理工序之前，包括去除形成于第2主面的固相扩散源的膜的工序。

根据本发明，起到如下的效果：在形成固相扩散源的膜后，接着进行基于热处理的杂质扩散时，能够防止杂质混入到背面，实现太阳能电池的载流子寿命的提高。

附图说明

图1是示出实施方式1的太阳能电池的制造方法的流程图。

图2的(a)至(d)是示出实施方式1的太阳能电池的制造方法的工序剖视图。

图3的(a)至(d)是示出实施方式1的太阳能电池的制造方法的工序剖视图。

图4是示出关于实施方式1的太阳能电池的制造工序中的热处理工序的炉内的温度和环境状态的时序图的说明图。

图5的(a)以及(b)是示出在实施方式1的方法中在形成BSG膜和硅氧化膜时局部地产生成膜不良部分时的n型单晶硅基板的剖面的图。

图6是示出实施方式2的太阳能电池的制造方法的流程图。

图7是示出实施方式2的太阳能电池的制造工序的主要部分的工序剖视图。

图8是相对于实施方式1以及实施方式2所示的太阳能电池的制造方法而示出在加热处理时向在扩散工序中使用的扩散炉投入硅基板的投入方法的一个例子的图。

(符号说明)

1n型单晶硅基板；1A受光面；1B背面；2BSG膜；3硅氧化膜；4含硼生成物；5含氧化硅生成物；7p型扩散层；8硅氧化膜；9成膜不良部分；9a硅氧化膜形成不良部分；9b BSG形成不良部分；9c BSG膜及硅氧化膜形成不良部分；10p型扩散层形成不良部分；10a、10b p型扩散层浅化部分；10c p型扩散层未形成部分；14n型扩散层；15a受光面防反射膜；15b背面绝缘膜；16电极；16a受光面电极；16b背面电极；17扩散源；18n型扩散层；200加热炉；201舟皿。

具体实施方式

以下，根据附图详细说明本发明的太阳能电池的制造方法以及太阳能电池的实施方式。此外，本发明不受该实施方式限定，在不脱离其主旨的范围中能够适当变更。另外，在以下所示的附图中，为了容易理解，各层或者各部件的比例尺有时与现实不同，在各附图之间也一样。另外，即使是俯视图，为了容易观察附图，也有时附加阴影线。

实施方式1.

图1是示出本发明的太阳能电池的制造方法的实施方式1的制造工序的流程图，图2(a)至(d)以及图3(a)至(d)是示出实施方式1的太阳能电池的制造方法的工序剖视图。图2(a)至(d)是示出本发明的太阳能电池的制造方法中的图1中所示的炉内的连续处理中的太阳能电池基板的变化的剖视图。图3(a)至(d)是示出本实施方式1的制造工序中的接着图2(a)至(d)所示的热处理的工序中的太阳能电池的剖面的变化的示意图。图4是示出关于炉内的温度和环境状态的时序图的说明图。

在本实施方式1的太阳能电池的制造方法中，其特征在于，在用于形成扩散层的热处理工序中，在热处理工序之前，包括去除形成于第2主面的固相扩散源的膜的工序。