[发明专利]太阳能电池的制造方法以及太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：

在具有第1主面以及第2主面的第1导电类型的半导体基板形成固相扩散源的膜的工序；以及

热处理工序，加热所述半导体基板，使第2导电类型的杂质从所述固相扩散源扩散来形成第2导电类型的扩散层，

在所述热处理工序之前，包括去除形成于所述第2主面的所述固相扩散源的膜的工序。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

在所述热处理工序之后，包括在含氧环境中连续加热而形成氧化膜的氧化热处理工序。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

所述氧化热处理工序是形成膜厚5nm以上且10nm以下的氧化膜的工序。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

所述热处理工序是在将2张所述半导体基板重叠、将所述第1主面设为外侧、将所述第2主面设为贴合面侧而叠合的状态下实施的。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

形成所述第2导电类型的扩散层的工序包括在所述第2主面的一部分选择性地形成所述固相扩散源的工序。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

形成所述第2导电类型的扩散层的工序包括如下工序：

在使在所述氧化热处理工序中形成的氧化膜残留于所述第2主面的状态下，隔着所述氧化膜在所述第2主面选择性地形成所述固相扩散源。

7.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

第1导电类型的半导体基板，具有第1主面以及第2主面；

第2导电类型的杂质扩散层，形成于所述第1主面；以及

第1导电类型的杂质扩散层，形成于所述第2主面，

所述第2主面上的第1导电类型的杂质扩散层的浓度在整个区域中高于第2导电类型的杂质扩散层的浓度。