[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

具有下述工序：准备半导体基板的工序(S01)，该半导体基板具有第1主面和位于第1主面的相反侧的第2主面；在第1主面之上形成第1电极的工序(S02)；在第1电极之上形成焊料接合用金属膜(第1焊料接合用金属膜)的工序(S03)；在第1焊料接合用金属膜之上形成牺牲膜的工序(S04)；在形成牺牲膜之后对第2主面进行磨削的工序(S06)；在进行磨削的工序(S06)之后进行热处理的工序(在第3主面侧形成元件构造的工序(S07))；在进行热处理的工序(S07)之后将牺牲膜去除的工序(S10)；以及将第1焊料接合用金属膜与第1外部电极进行焊料接合的工序(S12)。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置的制造方法，特别是涉及半导体元件与外部电极进行了焊料接合的半导体装置的制造方法。

背景技术

已知有形成于半导体元件的电极与外部电极进行了焊料接合的半导体装置(例如参照日本特开2008-182074号公报)。通过利用焊料将半导体元件的电极与外部电极直接接合，从而能够降低电阻，实现可进行大电流通电的配线连接。

另外，已知有一种半导体装置，该半导体装置在进行焊料接合的半导体元件的电极之上形成有用于抑制氧化膜的形成的防氧化膜。日本特开2010-272711号公报中公开了一种半导体器件，该半导体器件在半导体元件的电极之上形成有将导电体层和防氧化层层叠而成的附加电极，其中，该导电体层是作为焊料接合用金属膜而由镍(Ni)构成的，该防氧化层是作为防止该导体层的氧化的膜而由金(Au)或银(Ag)等构成的。

专利文献1：日本特开2008-182074号公报

专利文献2：日本特开2010-272711号公报

发明内容

然而，现有的防氧化膜如上所述由Au、Ag等昂贵的贵金属材料构成，存在半导体装置的制造成本提高这样的问题。

另外，对于功率半导体装置等而言，为了改善通电性能而将半导体基板磨削得薄、在磨削面形成电极。此时，在磨削之前，如果在未受到磨削的面露出有构成焊料接合用金属膜的重金属、或者在焊料接合用金属膜之上形成有由例如重金属材料构成的防氧化膜，则在磨削时，重金属材料附着于露出了半导体基板材料(例如硅(Si))的磨削面，通过经过在磨削后所实施的热扩散等热处理工序而在基板材料中引入重金属材料，对元件中的载流子的寿命造成的影响非常大。因此，在现有的半导体装置的制造方法中，采用了如下方法：在向磨削面形成电极而将磨削面包覆之后、热处理工序之前，在未受到磨削的面之上形成焊料接合用金属膜以及防氧化膜。原子序数小于或等于22且除了碱金属、碱土类金属以外的金属元素，对元件中的载流子的寿命或磨削面的欧姆接触等半导体特性造成影响的可能性低，能够在磨削之前堆积于未受到磨削的面之上。另一方面，原子序数大于或等于26的重金属、碱金属、碱土类金属、或者具有磁性的金属元素，对元件中的载流子的寿命、磨削面的欧姆接触等半导体特性造成影响的可能性高，因此，希望在磨削之前避免堆积于未受到磨削的面之上。

然而，在磨削之后将防氧化膜等形成于未受到磨削的面之上的情况下，有时在输送过程中、成膜过程中等会在半导体基板产生裂纹，产生成品率下降这样的问题。

本发明就是为了解决上述的课题而提出的。本发明的主要目的在于，提供一种半导体装置的制造方法，在该制造方法中，降低了制造成本，并且抑制了半导体基板的裂纹，进而，能够形成即使在晶片磨削之前形成焊料接合用金属膜，也不会对寿命造成影响的半导体元件，并且通过防止焊料接合用金属膜的氧化，从而将焊料接合用金属膜与外部电极良好地进行焊料接合。