[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580080357.8 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107615463B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 中田洋辅 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/304;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其具有下述工序：
准备半导体基板的工序，该半导体基板具有第1主面和位于所述第1主面的相反侧的第2主面；
在所述第1主面之上形成第1电极的工序；
在所述第1电极之上形成焊料接合用金属膜的工序；
在所述焊料接合用金属膜之上形成牺牲膜的工序；
在形成所述牺牲膜之后对所述第2主面进行磨削的工序；
在所述进行磨削的工序之后进行热处理的工序；
在所述进行热处理的工序之后将所述牺牲膜去除的工序；以及
将所述焊料接合用金属膜与外部电极进行焊料接合的工序,
构成所述牺牲膜的材料由满足下述条件的元素构成，即，原子序数小于或等于22且所述牺牲膜不包含碱金属、碱土类金属，
构成所述牺牲膜的材料是与所述焊料接合用金属膜相比能够选择性地去除的材料。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述选择性地去除是通过蚀刻进行的。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
构成所述牺牲膜的材料包含钛以及铝中的至少任一者。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
构成所述焊料接合用金属膜的材料包含原子序数大于或等于23的金属元素。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，
构成所述焊料接合用金属膜的材料包含镍。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
具有在所述半导体基板的所述第1主面之上形成保护膜的工序。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，
将所述牺牲膜去除的工序是在所述形成保护膜的工序之后实施的。
8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述进行磨削的工序是在所述形成保护膜的工序之后实施的。
9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，
构成所述保护膜的材料包含聚酰亚胺。
10.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
构成所述第1电极的材料包含铝，
所述第1电极中的铝的含有率大于或等于95质量％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
