[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及具有对晶片进行切割的工序的半导体装置的制造方法。

背景技术

就IGBT(绝缘栅型双极晶体管)或二极管等纵型导通的半导体装置而言，为了降低通电时的电阻而提高电气电压特性，将晶片加工得薄。近年来，有时将晶片的厚度变薄至50μm左右。在将晶片薄层化时，在晶片的表面粘贴胶带等保护部件，对晶片的背面侧进行机械研磨。然后，通过湿蚀刻去除在机械研磨中产生的缺陷层。

例如薄层化至小于或等于130μm的晶片的翘曲强烈，在此基础上，容易产生裂痕及缺口。为了避免该弊病，有时将晶片的外周部残留得厚，通过机械研磨将晶片的内侧(中央部)减薄。通过将晶片的外周部残留得厚，从而提高晶片的刚性，防止翘曲、缺口、及裂痕。

在将晶片的背面外周部残留得厚的情况下，在晶片的外周部存在环状凸部。为了将具有环状凸部的晶片单片化(晶片切割)，需要在晶片背面粘贴由环框架支撑的切割胶带而对晶片进行固定。在专利文献1中公开了向晶片高精度地对切割胶带进行粘贴的方法，该晶片在背面外周具有环状凸部。

专利文献1：日本特开2013-232582号公报

发明内容

在对晶片的背面中央部进行机械研磨后进行的湿蚀刻中，药液流过晶片的环状凸部，使环状凸部产生凹凸。如果将切割胶带粘贴于在环状凸部具有凹凸的晶片，则有时环状凸部与切割胶带的密接不充分，空气从环状凸部与切割胶带之间进入，切割胶带从晶片剥落。如果切割胶带的一部分从晶片剥落，则存在下述问题，即，在切割工序中晶片产生缺口或裂痕，成品率下降。

本发明就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于，提供能够防止切割胶带从晶片剥落的半导体装置的制造方法。

本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具有下述工序：薄化工序，通过研磨晶片的背面的中央部，然后在该晶片的背面实施湿蚀刻，从而形成在外周部具有环状凸部的晶片；在该晶片的背面形成背面电极的工序；镀敷工序，在该环状凸部之上的该背面电极通过镀敷法均一地形成金属膜；粘贴工序，在该金属膜粘贴切割胶带；以及切割工序，对粘贴有该切割胶带的该晶片进行切割。

本发明的其他特征在下面加以明确。

发明的效果

根据本发明，在晶片的环状凸部通过镀敷法形成均一的金属膜，因此能够防止切割胶带从晶片剥落。

附图说明

图1是表示实施方式涉及的半导体装置的制造方法的流程图。

图2是形成有半导体元件区域的晶片的剖视图。

图3是背面中央部受到研磨后的晶片的剖视图。

图4是形成有背面电极的晶片的剖视图。

图5是置换析出了Zn后的晶片的剖视图。

图6是形成有Ni膜的晶片的剖视图。

图7是形成有Au膜的晶片的剖视图。

图8是粘贴有切割胶带的晶片的剖视图。

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同的标号，有时省略重复的说明。

实施方式.

图1是表示本发明的实施方式涉及的半导体装置的制造方法的流程图。首先，在晶片形成半导体元件区域(步骤S1)。图2是形成有半导体元件区域12的晶片10的剖视图。晶片10的材料并未被特别地限定，例如是Si。在晶片10的表面侧形成有半导体元件区域12。半导体元件区域12是扩散层。在步骤S1中，除了形成半导体元件区域12之外，还在晶片10的表面侧形成表面电极14和将表面电极14的边缘覆盖的保护膜16。表面电极14的材料例如是Al合金。保护膜16的材料例如是聚酰亚胺。

接下来，使处理前进至步骤S2，在步骤S2中，对晶片的背面的中央部进行研磨。图3是背面中央部受到研磨后的晶片10的剖视图。在图3中，晶片10的背面朝上，晶片10的表面朝下。晶片10的研磨使用周知的机械研磨装置。晶片10的背面的中央部10a受到研磨而变薄，与此相对，晶片10的外周部(环状凸部10b)没有受到研磨，因此比中央部10a厚。

接下来，使处理前进至步骤S3。在步骤S3中，为了去除在上述的机械研磨中产生的缺陷层，在晶片的背面实施湿蚀刻。优选将湿蚀刻量设为5～20μm左右。这样，形成在外周部具有环状凸部10b的晶片10。步骤S2、S3是将晶片减薄的薄化工序。

接下来，使处理前进至步骤S4。在步骤S4中，在晶片的背面侧形成背面扩散区域。在图3中示出了背面扩散区域20。