[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201580079099.1 | 申请日： | 2015-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN107533963A | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 上野隆二;砂本昌利 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L21/288;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
具有下述工序：
薄化工序，通过研磨晶片的背面的中央部，然后在所述晶片的背面实施湿蚀刻，从而形成在外周部具有环状凸部的晶片；
在所述晶片的背面形成背面电极的工序；
镀敷工序，在所述环状凸部之上的所述背面电极通过镀敷法均一地形成金属膜；
粘贴工序，在所述金属膜粘贴切割胶带；以及
切割工序，对粘贴有所述切割胶带的所述晶片进行切割。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述背面电极是Al合金层，
在所述镀敷工序中，将所述晶片浸渍在浸锌处理液中，在所述Al合金层的表面置换析出Zn，将析出的Zn去除，然后再次将所述晶片浸渍在浸锌处理液中，在所述Al合金层的表面置换析出Zn，然后将所述晶片浸渍在无电解Ni镀敷液中。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
通过将所述晶片浸渍在所述无电解Ni镀敷液中而形成的Ni膜的厚度是2～10μm。
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述镀敷工序中，在将所述晶片浸渍在所述无电解Ni镀敷液中后，将所述晶片浸渍在无电解Au镀敷液中。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
通过将所述晶片浸渍在所述无电解Au镀敷液中而形成的Au膜的厚度是20～100nm。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述Al合金层的厚度是大于或等于1μm。
7.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述镀敷工序中，在将所述晶片浸渍在所述浸锌处理液中之前，将所述晶片浸渍在碱性的脱脂液中，然后浸渍在盐酸中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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