[发明专利]透明导电性薄膜有效
申请号: | 201580078944.3 | 申请日: | 2015-10-30 |
公开(公告)号: | CN107533880B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 加藤大贵;藤野望;梨木智刚 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;B32B7/02;B32B9/00;G06F3/041 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 导电性 薄膜 | ||
1.一种透明导电性薄膜,其特征在于,其为在透明的基材薄膜上至少依次层叠硬涂层、光学调整层和透明导电层而成的透明导电性薄膜,
所述透明导电层包含铟,
所述硬涂层的厚度为250nm~2000nm,
所述光学调整层的厚度为所述硬涂层的厚度的2%~10%,
在所述硬涂层和所述光学调整层之间进一步层叠有防剥离层,
所述防剥离层包含非化学计量组成(non-stoichiometric)的无机化合物,
所述防剥离层包含硅原子,
所述防剥离层具有Si2p轨道的结合能为98.0eV以上且小于103.0eV的区域,
所述防剥离层的厚度为1.5nm~8nm。
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜,其特征在于,所述光学调整层包含金属氧化物。
3.根据权利要求2所述的透明导电性薄膜,其特征在于,所述金属氧化物包含二氧化硅(SiO2)。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的透明导电性薄膜,其特征在于,所述硬涂层包含氧化锆(ZrO2)、二氧化硅(SiO2)、氧化钛(TiO2)、氧化锡(SnO2)、氧化铝(Al2O3)中的任一种或它们中的2种以上无机微粒。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的透明导电性薄膜,其特征在于,所述硬涂层的折射率为1.60~1.70。
6.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜,其特征在于,所述防剥离层包含硅化合物。
7.根据权利要求6所述的透明导电性薄膜,其特征在于,所述防剥离层包含硅氧化物。
8.根据权利要求1~3中任一项所述的透明导电性薄膜,其特征在于,是在所述基材薄膜的与所述透明导电层处于相反侧的主面上进一步层叠功能层而成的。
9.根据权利要求8所述的透明导电性薄膜,其中,所述功能层包括防粘连硬涂层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580078944.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于数据分组调度和传送的系统和方法
- 下一篇:电子设备和电波设定方法