[发明专利]多层配线基板的制造方法有效
申请号: | 201580078601.7 | 申请日: | 2015-11-24 |
公开(公告)号: | CN107432087B | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 吉田信之 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H05K3/40 | 分类号: | H05K3/40;C25D7/00;C25D21/12;H05K3/46 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;陈彦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 配线基板 制造 方法 | ||
1.一种多层配线基板的制造方法,其具有如下工序:
工序(1),对于将金属箔在绝缘层的两侧层叠一体化而成的覆金属箔层叠板,使用敷形法或直接激光法设置贯通所述绝缘层两侧的金属箔和绝缘层的通孔用孔、在该通孔用孔的开口部形成的绝缘层两侧的金属箔的突出、及在该金属箔的突出与所述通孔用孔的内壁之间形成的下方空间;
工序(2),通过在所述通孔用孔内和绝缘层两侧的金属箔上形成填充电镀层来填埋所述通孔用孔,形成将所述绝缘层两侧的金属箔彼此电连接的通孔;以及
工序(3),对形成所述填充电镀层后的绝缘层两侧的金属箔进行电路加工而形成配线,
所述工序(2)中通过形成填充电镀层而进行的通孔用孔的填埋,是通过在填充电镀的过程中使填充电镀的电流密度暂时降低再使其增加来进行的,
使填充电镀的电流密度暂时降低的时机为:在通孔用孔的开口部形成的绝缘层两侧的金属箔的突出与所述通孔用孔的内壁之间的下方空间被填充电镀层填充之时以后,并且形成镀层空洞之前。
2.根据权利要求1所述的多层配线基板的制造方法,所述工序(2)中在填充电镀的过程中使填充电镀的电流密度暂时降低时的电流密度的降低率大于或等于即将使其降低之前的50%。
3.根据权利要求1或2所述的多层配线基板的制造方法,所述工序(2)中在填充电镀的过程中使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加时的电流密度大于或等于即将进行所述使填充电镀的电流密度暂时降低之前的电流密度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立化成株式会社,未经日立化成株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580078601.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种预制空心墙板与立柱的连接结构
- 下一篇:涤纶面料一浴法染色工艺