[发明专利]密封用树脂组合物、半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种密封用树脂组合物，其用于将半导体元件和接合线密封，所述接合线与所述半导体元件连接且以Cu为主要成分，所述密封用树脂组合物的特征在于：

含有环氧树脂(A)、固化剂(B)、利用偶联剂(D)实施了表面处理的填充剂(C)、和离子捕捉剂(E)，

所述填充剂(C)包括选自熔融球状二氧化硅、熔融破碎二氧化硅、结晶二氧化硅、滑石、氧化铝、钛白和氮化硅中的一种或两种以上，

所述偶联剂(D)包括巯基硅烷，

将由条件1算出的相对于所述密封用树脂组合物整体的硫提取量设为W₁时，W₁为0.04ppm以上0.55ppm以下，

所述利用偶联剂(D)实施了表面处理的填充剂(C)通过将填充剂(C)投入搅拌机后，开始搅拌，进一步在其中投入偶联剂(D)后搅拌1～5分钟，得到填充剂(C)和偶联剂(D)的混合物，将该混合物从搅拌机中取出并静置3分钟～1小时，进一步对静置处理后的填充剂(C)在30～80℃、0.1～10小时的条件下实施热处理而得到，

相对于所述密封用树脂组合物的全部固态成分，所述离子捕捉剂(E)的含量为0.05质量％以上1质量％以下，

所述离子捕捉剂(E)包括选自水滑石类和多价金属酸性盐中的至少一种，

条件1：将使所述密封用树脂组合物以175℃、4小时的条件热固化而得到的固化物粉碎，得到粉碎物；接着，在150℃、8小时的条件下对所述粉碎物实施热处理，利用双氧水收集此时产生的气体；接着，由所述双氧水中的硫酸根离子量算出相对于所述密封用树脂组合物整体的硫提取量W₁。

2.根据权利要求1所述的密封用树脂组合物，其特征在于：

将由条件2算出的相对于所述密封用树脂组合物整体的硫提取量设为W₂时，W₂/W₁在120以下，

条件2：将使所述密封用树脂组合物以175℃、4小时的条件热固化而得到的固化物粉碎，得到粉碎物；接着，在175℃、8小时的条件下对所述粉碎物实施热处理，利用双氧水收集此时产生的气体；接着，由所述双氧水中的硫酸根离子量算出相对于所述密封用树脂组合物整体的硫提取量W₂。

3.根据权利要求1所述的密封用树脂组合物，其特征在于：

相对于所述密封用树脂组合物整体，所述填充剂(C)的含量为35质量％以上95质量％以下。

4.根据权利要求1所述的密封用树脂组合物，其特征在于：

相对于所述密封用树脂组合物整体，所述偶联剂(D)的含量为0.05质量％以上2质量％以下。

5.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体元件；

接合线，其与所述半导体元件连接且以Cu为主要成分；和

密封树脂，其由权利要求1～4中任一项所述的密封用树脂组合物的固化物构成，并且将所述半导体元件和所述接合线密封。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

所述半导体装置还具备搭载所述半导体元件、并且与所述接合线连接的、以Cu或者42合金为主要成分的引线框或有机基板。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：

具备利用权利要求1～4中任一项所述的密封用树脂组合物将半导体元件和接合线密封的工序，所述接合线与所述半导体元件连接且以Cu为主要成分。