[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

(a)准备引线框架的工序，所述引线框架具有在下表面形成有第一槽的芯片搭载部和引线；

(b)将半导体芯片搭载在所述芯片搭载部的上表面的工序；

(c)经由导电性部件将形成于所述半导体芯片的焊盘与所述引线电连接的工序；

(d)一边使所述引线的一部分和所述芯片搭载部的所述下表面露出，一边用树脂封固所述半导体芯片的工序；

(e)在所述(d)工序之后清洗所述芯片搭载部的所述下表面的工序；以及

(f)在所述(e)工序之后，在所述芯片搭载部的所述下表面上形成镀覆膜的工序，

在由于所述(d)工序所述树脂也进入在所述芯片搭载部的所述下表面形成的所述第一槽的情况下，通过所述(e)工序使埋入所述第一槽的所述树脂被除去，在所述(f)工序中，在所述第一槽的内壁也形成所述镀覆膜。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

所述第一槽沿着所述芯片搭载部的外周部形成。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

所述第一槽的深度为所述芯片搭载部的厚度的1/2以下。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

所述第一槽利用冲压法形成。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

所述第一槽的截面形状为V字形。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

在所述芯片搭载部的所述下表面，还与所述第一槽分离地形成有第二槽。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，

所述第二槽也沿着所述芯片搭载部的外周部形成。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，

所述第二槽与所述第一槽相比形成在所述芯片搭载部的内侧。

9.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，

所述第一槽的深度和所述第二槽的深度均为所述芯片搭载部的厚度的1/2以下。

10.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，

所述第一槽的深度比所述第二槽的深度深。

11.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，

在由于所述(d)工序所述树脂也进入在所述芯片搭载部的所述下表面形成的所述第一槽和所述第二槽的情况下，进入所述第一槽的所述树脂的量比进入所述第二槽的所述树脂的量多。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

在所述芯片搭载部的下表面的外端部，形成有与所述第一槽分离的层差部。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，

所述第一槽与所述层差部相比形成在内侧。

14.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，

所述第一槽的深度比所述层差部的层差浅。

15.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，

在所述芯片搭载部的所述下表面，在所述第一槽的内侧形成有第二槽，

在剖视图中，所述层差部的层差位置与所述第一槽的中心位置的距离比所述第一槽的中心位置与所述第二槽的中心位置的距离小。