[发明专利]用于半导体晶片的湿化学处理的直排湿式工作台装置及方法

说明书

本发明涉及用于半导体晶片(2)的湿化学处理的直排湿式工作台装置，包括多个输送辊(1)，每个可围绕旋转轴线(R)旋转以沿着传递方向(F)直排地输送半导体晶片(2)，其中旋转轴线(R)设为彼此平行且垂直于传递方向(F)，输送辊(1)具有沿着相应旋转轴线(R)轴向延伸且形成圆柱套筒形输送面(10)的圆柱形输送部分。沿轴向看时，输送面(10)具有至少一个表面粗糙度值小于10μm的光滑区域(11)和大于100μm的轴向邻近光滑区域(11)的粗糙区域(12)。还涉及用于半导体晶片(2)湿化学处理的方法，其中半导体晶片(2)在如前述任一项权利要求的直排湿式工作台装置输送辊(1)上传输且在输送过程进行湿化学处理。

技术领域

本发明涉及一种用于半导体晶片的湿化学处理的直排湿式工作台装置，以及一种用于半导体晶片的湿化学处理的方法。

背景技术

半导体晶片通常由锭通过锯切来生产。所述半导体晶片具有前侧表面和与所述前侧表面相反的后侧表面，所述表面在锯切时为粗糙的，在进一步加工以形成半导体晶片太阳能电池之前必须进行处理，特别是为了使后者的效率最大化。半导体晶片太阳能电池中的半导体晶片的前侧表面和后侧表面理想地具有不同的地形形貌。半导体晶片的前侧表面具有用于改善光输入的扩大的表面，也就是说具有纹理，而后侧表面应该尽可能光滑，由此可以特别在表面钝化的半导体晶片太阳能电池中减少阻挡层组合。在实践中生成这些不同的表面形貌是复杂的。

已知半导体晶片用诸如蚀刻溶液（例如氢氧化钾溶液）的处理溶液来进行处理，以使前侧表面和/或后侧表面被纹理化。在这样的纹理化的情况下，由于单晶半导体材料的强烈的各向异性腐蚀速率，在处理过的表面上形成具有金字塔形突起的结构。在用于湿化学处理半导体晶片的直排湿式工作台装置中，在纹理化期间对半导体晶片进行湿式化学处理。例如，从DE102007026081A1可知这种类型的直排湿式工作台装置。所述直排湿式工作台装置具有多个输送辊，用于沿着输送方向直排地（in-line）输送半导体晶片，所述输送辊在每一种情况下都可围绕旋转轴线旋转，其中所述旋转轴线设置成相互平行并垂直于输送方向，并且所述输送辊具有圆柱形输送部分，其沿着相应旋转轴线轴向延伸并且配置了圆筒套形输送面。半导体晶片在湿化学处理过程中被传递到输送辊并用处理溶液进行处理，例如通过喷涂或浸渍。纹理化可以在一侧或两侧进行。然而，完全单面纹理化是不可取的，因为在锯切器件产生的锯切损伤仍然保持在后侧表面。例如，当仅仅半导体晶片的前侧表面被完全纹理化但是半导体晶片的后侧表面仅仅纹理化到去除锯切损伤所需的程度，半导体晶片在传输时，使后侧表面位于输送辊上，并且前侧表面通过面对半导体晶片前侧表面的润湿装置被处理溶液润湿。在这里通常不能避免的是，处理溶液也部分润湿直排湿式工作台装置的输送辊。这样的话，处理溶液的一部分与半导体晶片的后侧表面接触，同样在所述后侧表面上产生纹理。输送辊的平滑结构，即具有在几微米范围内的高度偏差，导致半导体晶片的后侧表面通过润湿输送辊仅仅与少量处理溶液的接触。因此，与前侧表面相比，与处理溶液的相互作用较低，这导致晶片后侧表面的所谓的局部纹理化。然而，这种类型的输送辊的平滑结构通常还会导致半导体晶片在输送过程中旋转。这意味着在直排湿式工作台装置中不总是能提供沿输送方向的粘附于轨道上的稳定输送。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种用于半导体晶片的湿化学处理的直排湿式工作台装置，以及一种用于半导体晶片的湿化学处理的方法，在这种装置和方法中，分别保证了半导体晶片的无旋转输送，这就粘附于轨道而言是稳定的。

根据本发明，通过本发明所描述的装置和方法实现该目的。