[发明专利]用于半导体晶片的湿化学处理的直排湿式工作台装置及方法有效

专利信息
申请号: 201580075560.6 申请日: 2015-12-09
公开(公告)号: CN107408523B 公开(公告)日: 2021-02-23
发明(设计)人: A·魏劳赫 申请(专利权)人: 韩华QCELLS有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/677
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 林伟峰
地址: 德国比特尔费*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体 晶片 化学 处理 直排湿式 工作台 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种用于半导体晶片(2)湿化学处理的直排湿式工作台装置,具有多个输送辊(1),用于沿着传递方向(F)直排地输送半导体晶片(2),所述输送辊(1)在每一种情况下都能够围绕旋转轴线(R)旋转,其中所述旋转轴线(R)设置为使其相互平行并垂直于所述传递方向(F),并且所述输送辊(1)具有圆柱形输送部分,其沿着相应的旋转轴线(R)轴向延伸并且具有圆筒套形输送面(10),其特征在于,当在轴向方向查看时所述输送面(10)具有表面粗糙度值小于10μm的至少一个光滑区域(11),并且还具有表面粗糙度值大于100μm的粗糙区域(12),每一个所述光滑区域(11)以轴向邻近的方式被两个所述粗糙区域(12)围绕,并且所述半导体晶片(2)的相互相对的边缘承载在所述粗糙区域(12)上,以使得在输送过程中所述半导体晶片(2)承载在粗糙区域(12)上但不会接触所述光滑区域(11)或仅轻微地接触所述光滑区域(11),从而保证所述半导体晶片(2)在输送辊(1)上的无旋转运送。

2.根据权利要求1所述的直排湿式工作台装置,其特征在于当在所述旋转轴线(R)的轴向方向查看时,所述光滑区域(11)相对于所述邻近的粗糙区域(12)的面积比至少是80:20。

3.根据权利要求1或2所述的直排湿式工作台装置,其特征在于,所述输送辊(1)至少在所述输送面的区域具有一辊材料,其从由聚乙烯、聚丙烯、乙烯-氯三氟乙烯共聚物、和/或聚偏氟乙烯组成的组中选择。

4.根据权利要求1或2所述的直排湿式工作台装置,特征在于,所述光滑区域(11)和粗糙区域(12)配置为一体化。

5.一种用于半导体晶片(2)的湿化学处理的方法,在所述方法中,半导体晶片(2)在前述任一项权利要求中所述的直排湿式工作台装置的输送辊(1)上传输,并且在输送过程中进行湿化学处理。

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