[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

说明书

该基板处理方法，为对表面具有含有膜的细微图案的基板实施清洗处理的基板处理方法，包括：甲硅烷基化工序，向所述基板的表面供给甲硅烷基化剂，来对该基板的表面进行甲硅烷基化；药液清洗工序，在进行所述甲硅烷基化工序之后，或者与所述甲硅烷基化工序并行地，向所述基板的表面供给清洗药液，来清洗该基板的表面。

技术领域

本发明涉及利用清洗药液清洗基板的表面的基板处理方法以及基板处理装置。成为处理对象的基板包括半导体晶片等。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，进行向半导体晶片的表面供给清洗药液，来从该基板的表面除去不需要物质的清洗处理。

用于逐张地处理半导体晶片的单张式的基板处理装置包括：旋转夹具，将基板保持为水平来旋转；喷嘴，向保持于旋转夹具的基板的表面供给清洗药液。一边使保持有基板的旋转夹具旋转，一边向基板的表面供给清洗药液。由此，清洗药液遍及基板的表面的整个区域，从基板的表面的整个区域除去不需要物质。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004－281463号公报。

发明内容

发明所要解决的问题

在实施这样的清洗处理的基板的表面，有时形成包含氧化膜或氮化膜等膜的图案。在清洗处理中，由于向基板的表面供给清洗药液，基板的表面所包含的膜中可能产生膜损耗(膜的减少)。根据清洗药液的种类以及膜的种类不同，膜快速地被除去，其结果是可能膜损耗被增加。

随着近几年的图案的细微化，膜损耗的允许范围变得更窄，膜损耗对半导体的晶体管特性带来影响的可能性正在成为现实。因此，尤其，在具有细微图案的基板的清洗处理中，需要降低或防止伴随清洗处理产生的膜损耗。

因此，本发明的目的在于提供一种基板处理方法以及基板处理装置，能够一边降低或防止细微图案所包含的膜的损耗，一边清洗具有细微图案的基板的表面。

用于解决问题的手段

本发明提供一种基板处理方法，是对表面具有含有膜的细微图案的基板实施清洗处理的基板处理方法，包括：甲硅烷基化工序，该工序向所述含有膜的基板的表面供给甲硅烷基化剂；以及药液清洗工序，该工序在进行所述甲硅烷基化工序之后，或者与所述甲硅烷基化工序并行地，向所述基板的表面供给清洗药液，来清洗该基板的表面。

根据该方法，在进行药液清洗工序之前，或者与该药液清洗工序并行地，执行甲硅烷基化工序。在甲硅烷基化工序中，通过甲硅烷基化剂，对基板的表面所包含的膜的表层进行甲硅烷基化(改质)，通过保护层覆盖该膜。因此，能够在通过保护层覆盖膜的状态下，进行药液清洗工序。因此，难以在药液清洗工序产生膜的损耗。由此，能够一边降低或者防止细微图案所包含的膜的损耗，一边清洗具有细微图案的基板的表面。

在本发明的一实施方式中，所述甲硅烷基化工序包括：向所述基板的表面供给液体的甲硅烷基化剂的工序。

根据该方法，能够利用共通的装置进行：利用了液体的甲硅烷基化剂的甲硅烷基化工序；利用了清洗药液的药液工序。此时，不必在对基板进行一系列的处理的途中挪换基板，因此能够在短时间内进行该一系列的处理。

所述药液清洗工序可包括：在进行所述甲硅烷基化工序之后，向所述基板的表面供给所述清洗药液的后供给工序。根据该方法，在进行药液清洗工序之前，执行甲硅烷基化工序。即，在膜被保护层覆盖之后，开始向基板的表面供给清洗药液。由此，能够进一步降低或者防止随着利用清洗药液清洗基板表面而产生的膜的损耗。