[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，是对表面具有含有SiGe膜的细微图案的基板实施清洗处理的基板处理方法，其中，

包括：

甲硅烷基化工序，该工序向所述基板的表面供给甲硅烷基化剂，来对所述SiGe膜的表面进行甲硅烷基化；以及

药液清洗工序，该工序在进行所述甲硅烷基化工序之后，或者与所述甲硅烷基化工序并行地，将氨过氧化氢水溶液的混合液作为清洗药液向所述基板的表面供给，通过清洗来除去附着于该基板的表面的颗粒或微小杂质，

所述甲硅烷基化工序包括：通过对所述SiGe膜的表面进行甲硅烷基化，在所述SiGe膜的表面形成具有对所述清洗药液的耐药性的保护层的工序。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述甲硅烷基化工序包括：向所述基板的表面供给液体的甲硅烷基化剂的工序。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述药液清洗工序包括：在进行所述甲硅烷基化工序之后，向所述基板的表面供给所述清洗药液的后供给工序。

4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述药液清洗工序包括：与所述甲硅烷基化工序并行地，向所述基板的表面供给所述清洗药液的并行供给工序。

5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

还包括：与所述甲硅烷基化工序并行地，或者在进行所述甲硅烷基化工序之前，对所述基板的表面进行物理清洗的物理清洗工序。

6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

还包括：与所述甲硅烷基化工序并行地，对所述基板进行加热的基板加热工序。

7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

还包括：在进行所述甲硅烷基化工序之前，在所述基板的表面形成氧化膜的氧化膜形成工序。

8.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述细微图案包括通过等离子CVD法制作的SiN膜。

9.一种基板处理装置，是用于对表面具有含有SiGe膜的细微图案的基板实施清洗处理的基板处理装置，其中，

包括：

甲硅烷基化剂供给单元，该单元用于向所述基板的表面供给甲硅烷基化剂；

清洗药液供给单元，该单元用于向所述基板的表面供给清洗药液；以及

控制单元，该单元通过控制所述甲硅烷基化剂供给单元和所述清洗药液供给单元，执行甲硅烷基化工序和药液清洗工序，所述甲硅烷基化工序向所述基板的表面供给甲硅烷基化剂，来对所述SiGe膜的表面进行甲硅烷基化，所述药液清洗工序在进行所述甲硅烷基化工序之后，或者与所述甲硅烷基化工序并行地，将氨过氧化氢水溶液的混合液作为清洗药液向所述基板的表面供给，通过清洗来除去附着于该基板的表面的颗粒或微小杂质，

所述甲硅烷基化工序包括：通过对所述SiGe膜的表面进行甲硅烷基化，在所述SiGe膜的表面形成具有对所述清洗药液的耐药性的保护层的工序。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，

所述控制单元在所述甲硅烷基化工序中，执行：向所述基板的表面供给液体的甲硅烷基化剂的工序。

11.根据权利要求9或10所述的基板处理装置，其中，

所述控制单元在所述药液清洗工序中，在进行所述甲硅烷基化工序之后，执行：向所述基板的表面供给所述清洗药液的后供给工序。

12.根据权利要求9或10所述的基板处理装置，其中，

所述控制单元在所述药液清洗工序中，与所述甲硅烷基化工序并行地，执行：向所述基板的表面供给所述清洗药液的并行供给工序。