[发明专利]晶片抛光装置以及使用其的晶片抛光方法

说明书

实施例包括：下板；上板，被布置在所述下板上并转动；载体，接纳晶片并被布置在所述下板上；以及传感器单元，用于向所述载体内所接纳的所述晶片辐射光，检测所述晶片所反射的光，并根据检测结果输出检测数据，其中，所述传感器单元与所述上板一起转动。

【技术领域】

实施例涉及一种晶片抛光装置以及一种使用所述晶片抛光装置的晶片抛光方法

【背景技术】

总体上，可以通过以下方式来制造硅晶片：使用切克劳斯基(Czochralski)方法(CZ法)生长硅单晶锭；使用钢丝锯对所述硅锭进行切片以获得经切片的晶片；并对经切片的晶片执行磨光、蚀刻、清洁和抛光工艺。

在抛光工艺中，使用双面抛光装置对经切片的晶片的两个表面均进行抛光，从而获得扁平化的硅晶片。

晶片抛光速度可以针对处理工具(比如抛光布和载体)以及每当进行抛光工艺时材料的退化而不同。因此，在针对固定的时间段执行抛光工艺的情况下，经抛光晶片的厚度可能会由于上述原因所引起的抛光速度的变化而变化。必须测量正被抛光的晶片的厚度并与其同时调整抛光速度。

【发明内容】

【技术问题】

实施例提供了一种能够准确地测量正被抛光的晶片的厚度并能够提高晶片的抛光质量的晶片抛光装置、以及一种晶片抛光方法。

【技术方案】

在一个实施例中，一种晶片抛光装置包括：下表面板；上表面板，被布置在所述下表面板上方并且被配置成转动；载体，被布置在所述下表面板上从而在其中接纳晶片；传感器单元，用于向所述载体内所接纳的所述晶片辐射光，检测所述晶片所反射的光，并基于检测结果输出检测数据，其中，所述传感器单元与所述上表面板一起转动。

所述上表面板可以具有通孔，从而允许辐射自所述传感器的光从中穿过。

所述晶片抛光装置可以进一步包括：控制单元，用于基于所述检测数据计算经抛光晶片的厚度。

所述传感器可以包括：厚度测量传感器，被配置成用于与所述上表面板一起转动并用于输出所述检测数据；电缆，用于将所述检测数据传输至所述控制单元；以及旋转连接器，连接至所述电缆。

所述传感器单元可以被固定至所述上表面板的上表面。

所述晶片抛光装置可以进一步包括：第一负载补偿单元，固定至所述上表面板的所述上表面的与所述传感器单元所固定至的所述上表面板的所述上表面的区域相反的区域，其中，所述第一负载补偿单元可以与所述传感器单元具有相同的重量。

所述晶片抛光装置可以进一步包括：浆液供应单元，被布置在所述上表面板上从而向所述上表面板供应浆液并被配置成与所述上表面板一起转动。所述传感器单元可以被固定至所述浆液供应单元。

所述晶片抛光装置可以进一步包括：第二负载补偿单元，固定至所述浆液供应单元的与所述传感器单元所固定至的所述浆液供应单元的区域相反的区域，其中，所述第二负载补偿单元可以与所述传感器单元具有相同的重量。

所述上表面板可以具有形成于其上表面中的凹陷从而允许将所述传感器的一端插入其中，并且所述通孔可以被形成为穿过所述凹陷的底部和所述上表面板。

所述晶片抛光装置可以进一步包括：透光膜，被布置在所述通孔的内壁上并被配置成用于封阻所述通孔的下端。

所述控制单元可以在每个预定时间段获取所述经抛光晶片的形状信息和GBIR(Global Backside reference Indicate Reading，全局背面基准指示读数)，并可以基于所述获取的GBIR判定是否关于所述经抛光晶片执行抛光工艺，并且所述GBIR可以是在所述预定时间段测量的所述晶片的厚度的最大值与最小值之差。