[发明专利]晶片抛光装置以及使用其的晶片抛光方法

权利要求书

1.一种晶片抛光装置，包括：

下表面板；

上表面板，被布置在所述下表面板上方并且被配置成转动；

载体，被布置在所述下表面板上从而在其中接纳晶片；以及

传感器单元，用于向所述载体内所接纳的所述晶片辐射光，检测所述晶片所反射的光，并基于检测结果输出检测数据，

其中，所述传感器单元与所述上表面板一起转动，并且

所述晶片抛光装置进一步包括控制单元，所述控制单元用于基于所述检测数据计算经抛光晶片的厚度并且被配置为：

在多个预定时间段获取关于所述晶片的形状的信息；

使用在多个预定时间段中的每一个预定时间段的所述获取的关于所述晶片的形状的信息计算所述晶片的多个全局背面基准指示读数GBIR；并且

基于多个所计算的GBIR判定是否对所述晶片停止双面抛光工艺，

其中，所述判定是否对所述晶片停止所述双面抛光工艺包括：如果第一时间段内所述晶片的GBIR大于或等于第二时间段内所述晶片的GBIR，则停止对所述晶片进行所述双面抛光工艺，并且

所述第一时间段和所述第二时间段是在正被抛光的所述晶片的厚度已达到所述基准厚度的时间点之后所定义的时间段，并且所述第一时间段是在所述第二时间段之后的预定时间段。

2.根据权利要求1所述的晶片抛光装置，其中，所述上表面板具有通孔，从而允许辐射自所述传感器单元的光从中穿过。

3.根据权利要求2所述的晶片抛光装置，其中，所述传感器单元包括：

厚度测量传感器，被配置成用于与所述上表面板一起转动并用于输出所述检测数据；

电缆，用于将所述检测数据传输至所述控制单元；以及

旋转连接器，连接至所述电缆。

4.根据权利要求2所述的晶片抛光装置，其中，所述传感器单元被固定至所述上表面板的上表面。

5.根据权利要求4所述的晶片抛光装置，进一步包括：

第一负载补偿单元，固定至所述上表面板的所述上表面的与所述传感器单元所固定至的所述上表面板的所述上表面的区域相反的区域，

其中，所述第一负载补偿单元与所述传感器单元具有相同的重量。

6.根据权利要求1所述的晶片抛光装置，进一步包括：

浆液供应单元，被布置在所述上表面板上从而向所述上表面板供应浆液并被配置成与所述上表面板一起转动。

7.根据权利要求6所述的晶片抛光装置，其中，所述传感器单元被固定至所述浆液供应单元。

8.根据权利要求6所述的晶片抛光装置，进一步包括：

第二负载补偿单元，固定至所述浆液供应单元的与所述传感器单元所固定至的所述浆液供应单元的区域相反的区域，

其中，所述第二负载补偿单元与所述传感器单元具有相同的重量。

9.根据权利要求4所述的晶片抛光装置，其中，所述上表面板具有形成于其上表面中的凹陷从而允许将所述传感器单元的一端插入其中，并且所述通孔被形成为穿过所述凹陷的底部和所述上表面板。

10.根据权利要求2所述的晶片抛光装置，进一步包括：

透光膜，被布置在所述通孔的内壁上并被配置成用于封阻所述通孔的下端。

11.根据权利要求1所述的晶片抛光装置，其中，所述GBIR是在所述预定时间段测量的所述晶片的厚度的最大值与最小值之差。

12.根据权利要求11所述的晶片抛光装置，其中，所述控制单元基于以下各项获取关于所述经抛光晶片的形状的信息：所述载体的中心的移动路径的坐标、所述载体中所接纳的所述晶片的中心的移动路径的坐标、以及从所述晶片的所述中心到所述晶片的在其处由所述传感器单元测量所述晶片的厚度的点的距离。