[发明专利]用于制造电互连结构的方法在审

专利信息
申请号: 201580074096.9 申请日: 2015-03-20
公开(公告)号: CN107210554A 公开(公告)日: 2017-09-26
发明(设计)人: 徐英郁;文永周;尹琮光;金荣洙 申请(专利权)人: UNID有限公司
主分类号: H01R13/24 分类号: H01R13/24;H01R13/08
代理公司: 北京市中伦律师事务所11410 代理人: 石宝忠
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 制造 互连 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种用于制造电连接结构的方法,所述电连接结构包含母连接结构和公连接结构,所述母连接结构具有位于母连接组件的插入孔中的内导体,且所述公连接结构具有从公连接组件突出形成且导电的柱体,所述柱体被插入固定于所述插入孔中以接触所述内导体,所述方法包括:

准备待用于所述母连接组件及所述公连接组件的绝缘组件;以及

通过光刻工艺在所述绝缘组件中的每一者上进行导体的图案化以形成所述内导体及所述柱体。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述母连接结构的制造包括:

在所述绝缘组件中形成所述插入孔;

在所述绝缘组件上堆叠电极层及第一干膜;

通过光刻工艺在所述第一干膜中形成具有对应于所述插入孔的形状的图案孔;

通过电镀工艺以导电材料填充所述插入孔;以及

通过蚀刻所述插入孔中的所述导电材料来形成所述内导体。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,在进行用于形成所述内导体的电镀的同时,电镀用于形成与所述内导体连接的焊盘的结构。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述公连接结构的制造包括:

在所述绝缘组件上堆叠电极层及第二干膜;

通过光刻工艺在所述第二干膜中形成柱体孔;以及

通过电镀工艺以导电材料填充所述柱体孔来形成所述柱体。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述公连接结构的制造还包括:

在堆叠所述第二干膜之前在所述绝缘组件的两侧堆叠第三干膜及第四干膜;

通过光刻工艺形成图案孔,以用于在所述第三干膜及所述第四干膜中形成焊盘;以及

通过电镀工艺以导电材料填充所述第三干膜及所述第四干膜中的所述图案孔来形成所述焊盘。

6.根据权利要求4所述的方法,其中,所述公连接结构的制造还包括:

堆叠第五干膜以覆盖所述柱体;

通过光刻工艺在所述第五干膜中形成具有对应于弹性片的形状的图案孔;以及

通过电镀工艺以导电材料填充所述第五干膜中的所述图案孔来形成所述弹性片。

7.根据权利要求4所述的方法,其中,所述公连接结构的制造还包括:

在所述柱体上堆叠另外制造的弹性片。

8.一种用于制造电连接结构的方法,所述电连接结构包含母连接结构和公连接结构,所述母连接结构具有位于母连接组件的插入孔中的内导体,且所述公连接结构具有从公连接组件突出形成且导电的柱体,所述柱体具有弹性片且被插入固定于所述插入孔中以接触所述内导体,

其中,所述公连接结构的制造包括:

准备待用于所述弹性片的金属板;

通过光刻工艺及镀层工艺在所述金属板上形成所述柱体;以及

在所述柱体上堆叠待用于所述公连接组件的绝缘组件。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法,其中,所述母连接组件或所述公连接组件包含以下中的至少一者:有源器件、无源器件、用于电连接的连接器、半导体芯片封装、应用于半导体封装的中介层、具有三维多层结构的半导体芯片和封装、以及多层陶瓷电容器。

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