[发明专利]涂覆的反射光学元件上的表面校正

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年12月2日提交的德国专利申请DE 10 2014 224 569.9的优先权，该德国专利申请的全部公开内容通过引用并入本申请内容中。

技术领域

本发明涉及一种校正反射光学元件的表面形状的方法，该反射光学元件具有基板和反射涂层。本发明还涉及一种校正微光刻投射曝光设备的投射镜头的成像特性的方法以及一种反射光学元件和一种微光刻投射曝光设备的具有至少一个这种反射光学元件的投射镜头。

背景技术

微光刻投射曝光设备用于通过光刻方法制造微结构部件。如此，结构支承掩模(还称为掩模母版)借助投射镜头成像到光敏层。可借助这种投射镜头成像的最小结构宽度由使用的成像光的波长确定。采用的成像光的较短波长允许借助投射镜头成像更小的结构。现今，主要使用波长193nm的成像光或波长在极紫外范围(EUV)(即5nm-30nm)中的成像光。当使用193nm波长的成像光时，折射光学元件和反射光学元件用在微光刻投射曝光设备中。相比之下，当使用波长在5nm-30nm范围中的成像光时，仅使用反射光学元件(EUV反射镜)。

为了允许将结构支承掩模优良地成像到光敏层上，有必要尽可能多地减少投射镜头的成像误差或波前误差。因此，有必要以极高精度保证投射镜头内使用的尤其是反射光学元件的表面形状。当在基板上施加反射涂层时以及可能地施加额外保护涂层时，会发生从光学元件或反射涂层所必须具有以产生期望成像特性的预定表面形状的偏离。

校正一起布置在投射镜头中的多个光学元件的波前误差的一个选择是测量由反射光学元件产生的波前误差并在提供反射涂层之前校正至少一个另外的反射光学元件的未涂覆基板。该过程遇到了问题，投射镜头的波前误差或波前像差可能不能以期望精确度校正。

已知允许校正涂覆的反射光学元件上的表面形状的方法。

DE 10 2011 084 117 A1公开了一种校正用于EUV波长范围的反射光学元件的表面形状的方法，包括以下步骤：用干涉仪测量反射光学元件和/或测量具有反射光学元件的投射镜头，并借助穿过反射涂层的电子照射反射光学元件，以产生反射光学元件的基板在邻接反射涂层的表面区域中的局部致密，从而校正反射光学元件的表面形状。

DE 10 2011 076 014 A1公开了一种用于校正反射镜的表面形状的方法，其中，布置在反射镜的基板和反射涂层之间的功能涂层的局部形状变化通过功能涂层的化学成分的局部变化来产生。化学成分的局部变化可以通过粒子的轰击(例如用氢离子形式的带电粒子轰击)来实现。

DE 10 2005 044 716 A1描述了一种光学元件，其具有基体(基板)和至少一个活性层，该活性层连接到基体，并通过施加至少一个第一场而可变形，其中，该层构造成校正层的形式，用于光学元件的至少一个误差的变形相关的、至少局部的和至少部分的校正(由施加第一场引起的)。该层可包括磁致伸缩材料，施加的场可以是例如磁场。

DE 10 2004 051 838 A1公开了一种反射镜布置，其中，在基板的背离反射镜表面的后侧上布置有致动器布置，致动器布置包括至少一个活性层，其在其表面上连接到基板的后侧区域，并包括至少铁电材料和/或压电材料和/或磁致伸缩材料和/或电致伸缩材料和/或形状记忆合金。

DE 10 2012 207 003 A1公开了一种光学元件，包括：基板、反射涂层、具有磁致伸缩材料的至少一个活性层和具有永磁材料的至少一个可磁化层，以在至少一个活性层中产生磁场。由永磁材料的制成的层产生静态磁场，其作用在活性层上，并使其以期望方式局部或可能全部变形，即尤其改变厚度，以校正表面形状，从而校正光学元件的波前误差。活性层的静态变形持续直到永磁层通过施加强磁场而消磁。

发明内容

发明目的

本发明的目的是开发引言部分中提到的方法、反射光学元件和具有这种反射光学元件的投射镜头，使得可以高精度校正反射光学元件的表面形状或投射镜头的成像特性。

本发明的主题

该目的通过引言中提到的类型的方法来实现，所述方法包括至少以下步骤：通过在布置于基板和反射涂层之间并具有磁性形状记忆合金的至少一个可变形层中产生永久局部形状变化来校正表面形状，其中，永久局部形状变化通过给至少一个可变形层施加电磁场尤其是磁场来产生。