[发明专利]涂覆的反射光学元件上的表面校正在审
| 申请号: | 201580073765.0 | 申请日: | 2015-10-07 |
| 公开(公告)号: | CN107111015A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
| 发明(设计)人: | F-J.斯蒂克尔 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号: | G02B5/08 | 分类号: | G02B5/08;G03F7/20;G02B27/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 邱军,王蕊瑞 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 反射 光学 元件 表面 校正 | ||
1.一种校正反射光学元件(1)的表面形状(5)的方法,所述反射光学元件具有基板(2)和反射涂层(3),
其中,所述方法至少包括以下步骤:
通过在至少一个可变形层(7)中产生永久局部形状变化(10)来校正所述表面形状(5),所述至少一个可变形层布置于所述基板(2)和所述反射涂层(3)之间且具有磁性形状记忆合金,其中,通过对所述至少一个可变形层(7)施加电磁场,尤其是磁场(9),来产生所述永久局部形状变化(10)。
2.如权利要求1所述的方法,其中,施加有所述电磁场,尤其是所述磁场(9)的可变形层(7)包括三元合金形式的磁性形状记忆合金。
3.如权利要求1或2所述的方法,其中,施加有所述电磁场,尤其是所述磁场(9)的可变形层(7)包括赫斯勒合金形式的磁性形状记忆合金。
4.如上述权利要求中任一项所述的方法,其中,施加有所述电磁场,尤其是所述磁场(9)的可变形层(7)包括NiMnGa合金形式的磁性形状记忆合金。
5.如上述权利要求中任一项所述的方法,其中,施加到所述可变形层(7)的磁场(9)具有小于1.0特斯拉的磁通量密度。
6.如上述权利要求中任一项所述的方法,其中,通过对所述至少一个可变形层(7)施加所述电磁场,尤其是所述磁场(9),以均匀厚度改变(ΔD‘)的形式产生所述至少一个可变形层(7)的永久额外全局形状变化。
7.如上述权利要求中任一项所述的方法,其中,在校正所述表面形状(5)之前,所述方法包括下列步骤:
确定所述反射光学元件(1)的波前像差;以及
从所述反射光学元件(1)的波前像差计算所述反射光学元件(1)的校正表面形状。
8.一种校正微光刻投射曝光设备(20)的投射镜头(23)的成像特性的方法,包括以下步骤:
a.确定所述投射镜头(23)的波前像差;
b.从该投射镜头(23)的波前像差计算至少一个反射光学元件(1)的校正表面形状;
c.根据如权利要求1至6中任一项所述的方法来校正所述至少一个反射光学元件(1)的表面形状(5)。
9.一种光学元件(1),包括:
基板(2);
反射涂层(3);
至少一个可变形层(7),布置在所述基板(2)和所述反射涂层(3)之间,并具有磁性形状记忆合金。
10.如权利要求9所述的光学元件,其中,所述至少一个可变形层(7)具有三元合金形式的磁性形状记忆合金。
11.如权利要求9或10所述的光学元件,其中,所述至少一个可变形层(7)具有赫斯勒合金形式的磁性形状记忆合金。
12.如权利要求9至11中任一项所述的光学元件,其中,所述至少一个可变形层(7)具有NiMnGa合金形式的磁性形状记忆合金。
13.如权利要求9至12中任一项所述的光学元件,其中,所述至少一个可变形层(7)具有校正所述光学元件(1)的表面形状(5)的永久局部形状变化(10)。
14.如权利要求9至13中任一项所述的光学元件,其中,所述至少一个可变形层(7)具有不大于150nm、优选不大于100nm的厚度(D)。
15.一种微光刻投射曝光设备(20)的投射镜头(23),包括:至少一个如权利要求9至14中任一项所述的光学元件(1)。
16.如权利要求15所述的投射镜头,还包括:
至少一个场发生器(19),对所述至少一个反射光学元件(1)的至少一个可变形层(7)施加电磁场,尤其是磁场(9),以产生所述至少一个可变形层(7)的永久局部形状变化(10)。
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