[发明专利]用于基板背侧变色控制的支撑组件有效
申请号: | 201580073204.0 | 申请日: | 2015-12-10 |
公开(公告)号: | CN107112267B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 大木慎一;青木裕司;彼得·德蒙特;森義信 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;C23C16/458;C23C16/46;C23C16/455 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 基板背侧 变色 控制 支撑 组件 | ||
于此披露用于处理基板的处理腔室。在一个实施方式中,处理腔室包括支撑轴组件。支撑轴组件具有环形基座、盘形加热板和支撑轴系统。支撑轴系统支撑基座和加热板,使得基座被支撑在加热板上方,在加热板和基座之间限定有间隙。在另一实施方式中,加热板包括多个沟槽且基座包括多个鳍片。鳍片被配置成座落于沟槽内,使得基座被支撑在加热板上方,在加热板和基座之间限定间隙。在另一个实施方式中,于此披露处理在上述实施方式中的基板的方法。
技术领域
于此披露用于处理基板的处理腔室。更具体地,于此披露的实施方式涉及用于在基板上沉积外延层中使用的基座和加热板。
背景技术
用于处理半导体基板的一种类型的设备是单一基板处理器,其中一次一个基板被支撑在处理腔室中的基座上。基座将腔室划分为在基座下方的一个部分及在基座上方的第二部分。基座通常被安装在轴上,轴绕轴的中心而旋转基座以增强基板的均匀处理。处理气体的流动提供在腔室的顶部并跨越基板的表面。腔室通常具有在腔室的一侧的气体入口端口(inlet port)和在相反侧的气体出口端口,以实现处理气体跨越基板的流动。基座被加热,以将基板加热到所需的处理温度。用以加热基座的一个方法是通过使用围绕腔室而提供的灯。灯引导光进入腔室并引导至基座上。为了控制基板被加热达到的温度,不断地测量基座的温度。可使用红外温度传感器来测量温度,红外温度传感器检测从被加热的基座所发射的红外辐射。
在处理期间,一些处理气体可围绕基座的边缘流动并将材料层沉积在基板的背表面上。沉积在基板的背表面上的层导致基板的背侧变色,此为被污染的背表面的证据。基板的背表面的污染导致总产出降低。
因此,存在有提供用于处理基板的改良设备和方法的需求。
发明内容
于此所披露的实施方式涉及用于半导体处理的处理腔室。在一个实施方式中,处理腔室具有腔室主体,腔室主体具有内部容积。支撑轴组件设置在内部容积中。支撑轴组件包括支撑轴系统、盘形加热板及环形基座。支撑轴系统包括轴、多个臂及多个可移动的支撑销。每个臂具有第一端和第二端。每个臂的第一端耦接至轴。每个臂的第二端具有销接收凹槽(pin receiving recess)。多个可移动的支撑销被放置在销接收凹槽的相应端内。盘形加热板由支撑轴系统支撑。环形基座由支撑轴系统中的多个销支撑,使得在加热板与基座之间存在间隙。
在另一个实施方式中,用于半导体处理的处理腔室包括腔室主体,腔室主体具有内部容积。支撑轴组件设置在内部容积内。支撑轴组件包括支撑轴系统、盘形加热板及环形基座。支撑轴系统包括轴和多个臂。每个臂具有第一端和第二端。每个臂的第一端耦接至轴。盘形加热板由多个臂的第二端支撑。加热板具有顶表面。顶表面具有多个沟槽。环形基座具有多个鳍片。鳍片设置在加热板中的多个沟槽内。鳍片和沟槽产生在加热板和基座之间的间隙。
在另一实施方式中,于此披露用于在处理腔室中处理基板的方法。方法包括使处理气体流入至处理腔室中,并使净化气体从基板下方流出。处理腔室具有腔室主体,腔室主体具有内部容积。支撑轴组件设置在内部容积中。支撑轴组件包括支撑轴系统、盘形加热板及环形基座。支撑轴系统包括轴、多个臂及多个可移动的支撑销。每个臂具有第一端和第二端。每个臂的第一端耦接至轴。每个臂的第二端具有销接收凹槽。多个可移动的支撑销被放置在销接收凹槽的相应端内。盘形加热板由支撑轴系统支撑。环形基座由支撑轴系统中的多个销支撑,使得在加热板与基座之间存在间隙。净化气体流入至处理腔室中。净化气体在基板的下方,在加热板与基座之间所限定的间隙中流动。
附图说明
可通过参照实施方式(一些实施方式描绘于附图中)来详细理解本公开内容的上述特征及以上简要概述的有关本公开内容的更具体的描述。然而,应注意,附图仅图示本公开内容的典型实施方式,且因此不被视为限制本公开内容的范围,因为本公开内容可允许其他等效的实施方式。
图1是根据一个实施方式的处理腔室的侧视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造