[发明专利]用于基板背侧变色控制的支撑组件有效
申请号: | 201580073204.0 | 申请日: | 2015-12-10 |
公开(公告)号: | CN107112267B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 大木慎一;青木裕司;彼得·德蒙特;森義信 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;C23C16/458;C23C16/46;C23C16/455 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 基板背侧 变色 控制 支撑 组件 | ||
1.一种用于半导体处理的处理腔室,所述处理腔室包括:
腔室主体,所述腔室主体具有内部容积;
支撑轴组件,所述支撑轴组件设置在所述内部容积中,所述支撑轴组件包括:
支撑轴系统,所述支撑轴系统包括:
轴;
多个臂,每个臂具有第一端和第二端,每个臂的所述第一端耦接至所述轴,每个臂的所述第二端具有销接收凹槽;和
多个可移动的支撑销,每一个销被放置在所述销接收凹槽的相应端内;
盘形加热板,所述盘形加热板由所述支撑轴系统支撑,其中所述盘形加热板包括:
第一表面;
第二表面;
第三表面,所述第三表面与所述第一表面和所述第二表面相对,所述第一表面垂直地低于所述第二表面;
多个孔,所述多个孔中的每个孔具有顶部开口和下部开口,所述下部开口暴露于所述处理腔室的内部容积,所述多个孔穿过所述盘形加热板而形成,其中所述多个孔的第一组从所述第一表面延伸至所述第三表面,并且所述多个孔的第二组从所述第二表面延伸至所述第三表面;和
环形基座,所述环形基座由在所述支撑轴系统中的所述多个可移动的支撑销支撑,使得在所述盘形加热板与所述环形基座之间存在间隙,其中所述环形基座具有形成在所述环形基座中的多个基座孔,所述多个基座孔与所述多个孔的所述第一组对齐。
2.如权利要求1所述的处理腔室,其中在所述多个臂中的每个臂包括:
底座构件,其中所述底座构件支撑所述盘形加热板。
3.一种用于半导体处理的处理腔室,所述处理腔室包括:
腔室主体,所述腔室主体具有内部容积;
支撑轴组件,所述支撑轴组件设置在所述内部容积中,所述支撑轴组件包括:
支撑轴系统,所述支撑轴系统包括:
轴;和
多个臂,每个臂具有第一端和第二端,每个臂的所述第一端耦接至所述轴,每个臂的所述第二端具有销接收凹槽;
盘形加热板,所述盘形加热板由所述支撑轴系统支撑,所述盘形加热板具有顶表面,所述顶表面进一步包括多个沟槽,其中所述盘形加热板包括:
第一表面;
第二表面;
第三表面,所述第三表面与所述第一表面和所述第二表面相对,所述第一表面垂直地低于所述第二表面;
多个孔,所述多个孔中的每个孔具有顶部开口和下部开口,所述下部开口暴露于所述处理腔室的内部容积,所述多个孔穿过所述盘形加热板而形成,其中所述多个孔的第一组从所述第一表面延伸至所述第三表面,并且所述多个孔的第二组从所述第二表面延伸至所述第三表面;和
环形基座,所述环形基座具有多个鳍片,所述多个鳍片设置在所述盘形加热板的所述多个沟槽内,使得在所述盘形加热板和所述环形基座之间存在间隙,其中所述环形基座具有形成在所述环形基座中的多个基座孔,所述多个基座孔与所述多个孔的所述第一组对齐。
4.如权利要求1或3所述的处理腔室,其中形成在所述盘形加热板中的所述多个孔的一部分具有每平方厘米5.25个孔的孔密度。
5.如权利要求1或3所述的处理腔室,其中形成在所述环形基座中的所述多个孔具有每平方厘米5.99个孔的孔密度。
6.如权利要求5所述的处理腔室,其中形成在所述盘形加热板中的所述多个孔的一部分具有每平方厘米5.25个孔的孔密度。
7.如权利要求1或3所述的处理腔室,其中形成在所述环形基座中的所述多个孔具有每平方厘米6.06个孔的孔密度。
8.如权利要求7所述的处理腔室,其中形成在所述盘形加热板中的多个孔具有每平方厘米5.25个孔的孔密度。
9.如权利要求1或3所述的处理腔室,其中在所述盘形加热板和所述环形基座之间的所述间隙为至少0.1mm。
10.如权利要求1或3所述的处理腔室,其中所述环形基座进一步包括:
突出部分,所述突出部分被配置成接收基板。
11.一种用于在处理腔室中处理基板的方法,所述方法包括以下步骤:
使处理气体流入至所述处理腔室中,所述处理腔室进一步包括:
腔室主体,所述腔室主体具有内部容积;
支撑轴组件,所述支撑轴组件设置在所述内部容积中,所述支撑轴组件包括:
支撑轴系统,所述支撑轴系统包括:
轴;
多个臂,每个臂具有第一端和第二端,每个臂的所述第一端系耦接至所述轴,每个臂的所述第二端具有销接收凹槽;和
多个可移动的支撑销,每个销被放置在所述销接收凹槽的相应端内;
盘形加热板,所述盘形加热板由所述支撑轴系统支撑,所述盘形加热板具有顶表面,所述顶表面进一步包括多个沟槽,其中所述盘形加热板包括:
第一表面;
第二表面;
第三表面,所述第三表面与所述第一表面和所述第二表面相对,所述第一表面垂直地低于所述第二表面;
多个孔,所述多个孔中的每个孔具有顶部开口和下部开口,所述下部开口暴露于所述处理腔室的内部容积,所述多个孔穿过所述盘形加热板而形成,其中所述多个孔的第一组从所述第一表面延伸至所述第三表面,并且所述多个孔的第二组从所述第二表面延伸至所述第三表面;和
环形基座,所述环形基座由在所述支撑轴系统中的所述多个可移动的支撑销支撑,使得在所述盘形加热板与所述环形基座之间存在间隙,其中所述环形基座具有形成在所述环形基座中的多个基座孔,所述多个基座孔与所述多个孔的所述第一组对齐;和
使净化气体从所述基板下方,通过形成在所述盘形加热板和所述环形基座之间的所述间隙流出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造